三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。 三菱電機從1994年開始研發SiC-MOSFET，經過試制驗證，目前正處于普及擴大的階段。SiC-MOSFET能夠使系統整體的效率最大化，具有濾... （來源：技術文章頻道）
三菱電機NX封裝SiC功率模塊 2025-1-23 11:23
三菱電機株式會社將從9月30日開始陸續提供功率半導體模塊的新產品。此次提供的新產品為采用第7代1.7kV IGBT硅片的“T系列IGBT模塊”,共計17種產品。此舉旨在降低通用逆變器、不間斷電源（UPS）、風力和太陽能發電等工業設備的功耗，提高其可靠性。 本產品將在“TECHNO-FRONTIER 2016 -MOTORTECH JAPAN... （來源：新品頻道）
三菱電機株式會第7代1．7kV IGBT硅片T系列IGBT模塊 2016-4-1 17:16
三菱電機株式會社計劃從6月30日開始陸續提供配置第7代硅片的“T系列IGBT模塊”樣品，共有3種封裝48個品種，適用于各種用途的工業設備。這些產品能夠滿足通用變頻器、電梯、不間斷電源（UPS）等工業設備低功耗和高可靠性的需求。 本產品在“PCIM※1 Europe 2015”（5月... （來源：新品頻道）
三菱電機株式會社T系列IGBT模塊 2015-6-17 15:40
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