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提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業內領先的功率密度和優越性能。創新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統和其他耗電... （來源：新品頻道）
CCPAK1212封裝 Nexperia 功率MOSFET 2024-12-13 10:45
針對開關應用中的低RDSon、低尖峰和高效率進行了優化Nexperia今日宣布，公司正在持續擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產品組合，并推出了幾款采用行業標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優化，可在服務器、電源、快速充電器... （來源：新品頻道）
Nexperia NextPower 80／100V MOSFET LFPAK器件 2024-8-7 14:10
專業研發提供節省空間的PoE ASFET和EMC優化型NextPowerS3 MOSFET。 2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產品創新，今天宣布發布幾款新型MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。此次發布的產品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產品的100 V 應用專用MOSFET (... （來源：新品頻道）
NexperiaAPEC 2024NextPowerS3 MOSFET 2024-2-29 11:10
現可提供具備高效開關和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封裝基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器、工業... （來源：新品頻道）
Nexperia LFPAK56 LFPAK88 封裝系列 2023-6-21 10:45
氣溫每升高1度，海平面將上升2.3米，伴隨而來的還有地質災害、極端天氣和流行疾病的增加。2020年至2030年對于全球環境發展來說是至關重要的十年，我們需要在2030年前將全球溫室氣體（GHG）排放量減半，以避免造成災難性的氣候變化。人類已經步入了把握自己命運的最后一個窗口期，全世界已經達成共識，要... （來源：技術文章頻道）
智慧城市 節能技術 2023-6-13 14:22
智慧城市節能技術 2023-5-25 14:02
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動，首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr，80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on... （來源：新品頻道）
NexperiaMOSFET 2021-6-25 13:11
安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領域的生產專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經是業內公認的低壓、低RDS(on)的領先器件，它樹立了25 V、0.57 mΩ的新標準。該市場領先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術實現，并不... （來源：新品頻道）
安世半導體LFPAK56封裝 RDS(on) MOSFET 2020-2-20 10:34
在為許多類型的消費和工業應用設計電源時，效率往往是最重要的因素，這些應用包括手機、平板電腦和筆記本電腦、可充電的電動工具和LED照明，以及不計其數的其它產品。 一些應用需要高效率，以滿足法定要求，或只是減少散熱，從而實現更小、更輕的最終產品設計。選擇同步MOSFET來滿足... （來源：技術文章頻道）
二極管柵極驅動器整流器 2019-9-12 10:05
NXP推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術。NextPowerS3是業界首款能夠提供高頻率、低峰值性能的MOSFET，通常只有集成肖特基或類似肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能，而且這種MOSFET沒有令人煩惱的高漏電流問題。NextPowerS3 30V的產品適合于各種應... （來源：新品頻道）
NXP30VMOSFET平臺NextPowerS3SchottkyPlus 2013-9-25 09:37
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