二極管的反向恢復時間（Reverse Recovery Time, trr）是描述二極管在從正向導通狀態切換到反向截止狀態時，其電流響應速度的一個重要參數。這個時間與二極管在電流變化過程中存儲的電荷釋放過程有關。下面我們詳細解讀這一概念。 1. 反向恢復時間的定義 反向恢復時間是指，當二極管的正向電流從... （來源：技術文章頻道）
二極管 2025-3-10 10:00
如今，電動汽車越來越受歡迎，隨之而來的是對更高效充電解決方案的需求。然而，電動汽車的快速充電與智能手機等小型消費電子產品的快速充電有很大不同。在電動汽車中，快速充電技術需要將車輛電池的充電時間從幾個小時縮短到十幾分鐘甚至更短的時間。直流快速充電是電動汽車目前很高效的快充技術，此時... （來源：技術文章頻道）
直流快充電動汽車 2024-12-12 11:20
整流橋模塊是一種電子電路元件，由四個二極管組成的橋路，用于將輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。其工作原理基于PN結二極管正反biased的區別，通過二極管的單向導通功能，在每個作業周期內，同一時間只有兩個二極管進行作業，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。整流橋模塊主要分為全橋和半橋兩種... （來源：技術文章頻道）
整流橋模塊 2024-4-3 10:30
當 p 型半導體熔合到 n 型半導體時形成 PN 結二極管，從而在二極管結上產生勢壘電壓。 PN 結二極管由 p 區和 n 區組成，由存儲電荷的耗盡區隔開，如果我們將 N 型和 P 型材料的末端進行電氣連接，當他們連接到電源的時候，那么就要用其他的能源來克服壁壘，就說其他的能源要自由電子能從一... （來源：技術文章頻道）
PN結二極管 2023-7-10 10:23
MOS柵結構是MOSFET的重要組成部分，一個典型的N溝道增強型結構示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個平面內，半導體的另一個平面可以稱為體端，所以在一些書籍和資料中，也將MOSFET稱為四端器件，實際上那個體端一般跟源極相連接，所以在此還是將MOSFET看成三端器件。N溝道增強型MOSFET的圖... （來源：技術文章頻道）
MOSFET MOS柵結構 2023-6-8 10:15
作者：Doug Mercer 和 Anton 目標本實驗活動的目標是研究有源整流器電路。具體而言，有源整流器電路集成了運算放大器、低閾值P溝道MOSFET和反饋環路，以合成一個正向壓降低于傳統PN結二極管的單向電流閥或整流器。背景知識電源使用傳統二極管整流交流電壓以獲得直流電壓時，必須對某些本身效率低下... （來源：技術文章頻道）
有源整流器運算放大器 2023-6-7 11:25
作者： Doug Mercer，顧問研究員和Antoniu Miclaus，系統應用工程師目標本實驗活動的目標是研究有源整流器電路。具體而言，有源整流器電路集成了運算放大器、低閾值P溝道MOSFET和反饋環路，以合成一個正向壓降低于傳統PN結二極管的單向電流閥或整流器。背景知識電源使用傳統二極管整流交流電壓以獲得直... （來源：技術文章頻道）
ADALM2000實驗有源整流器 2023-5-12 17:03
1、 二極管發展狀態及選型原則1.1 二極管產品行業發展狀態（1）信號二極管的發展趨勢：1）表貼化：小信號二極管插件封裝基本淘汰，全部都是表貼封裝2）小型化：SOT23向SOT323、SOT523、SOD52、SOD923、0402封裝演進3）平引腳：翼型引腳和彎角引腳向平引腳切換，散熱和通流性能更優另外，小型化發展還有... （來源：技術文章頻道）
二極管 選型規范 2023-4-19 14:02
齊納擊穿效應:齊納擊穿效應是二極管得名的原因。它是量子力學效應隧穿效應，但當應用于電壓基準二極管時，它以發現它的人的名字保留了齊納的名字。在大多數情況下，電子包含在晶格中的原子內。在這種狀態下，它們處于所謂的價帶中。如果在半導體上放置一個大電場，這可能足以將電子拉出原子進入所謂的導... （來源：技術文章頻道）
齊納二極管 2022-12-13 09:24
作者：ADI IC設計工程師Yingyi Yan，ADI IC設計工程師Eugene Cheung，ADI IC設計工程師Eric Gu，ADI IC設計工程師Tuan Nguyen當前，新能源車正處于高速發展階段，為動力負載供電系統的穩定運行提出了全新挑戰。能否有一種新型大電流負載點轉換器，可滿足電源負載系統設計中對高效率、高密度、可靠功率級... （來源：技術文章頻道）
智能功率驅動器 高頻負載點供電 2022-10-20 17:03
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