亚洲精品视频一区,欧美日韩高清区,久久亚洲导航

如何利用4200A－SCS參數(shù)分析儀研究光伏材料和太陽(yáng)能電池的電學(xué)特性

隨著清潔能源需求增長(zhǎng)，太陽(yáng)能的潛力日益受到關(guān)注，太陽(yáng)能電池通過(guò)吸收光子釋放電子，將陽(yáng)光直接轉(zhuǎn)化為電能。電氣測(cè)試廣泛用于研發(fā)和生產(chǎn)中，以表征其性能，包括直流/脈沖電壓測(cè)量、交流電壓測(cè)試等，分析關(guān)鍵參數(shù)如輸出電流、轉(zhuǎn)換效率和最大功率輸出，常結(jié)合不同光強(qiáng)和溫度條件進(jìn)行。 4200A-SCS參數(shù)... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

泰克光伏材料太陽(yáng)能電池 2025-2-27 10:45

泰克2025新年展望：深化數(shù)智化賦能，加速本土產(chǎn)業(yè)升級(jí)

隨著2025年的到來(lái)，全球科技產(chǎn)業(yè)正邁向AI賦能和數(shù)智化的全新階段。數(shù)智化不僅推動(dòng)了傳統(tǒng)行業(yè)的智能化升級(jí)，也為新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了強(qiáng)大動(dòng)力。與此同時(shí)，本土化產(chǎn)業(yè)升級(jí)成為各國(guó)科技發(fā)展的關(guān)鍵戰(zhàn)略，尤其是在半導(dǎo)體、新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域。泰克科技作為全球領(lǐng)先的測(cè)試與測(cè)量解決方案提供商... （來(lái)源：新聞?lì)l道）

泰克人工智能 2025-2-7 15:03

【“源”察秋毫系列】下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測(cè)器應(yīng)用與測(cè)試

氧化鎵（Ga2O3）探測(cè)器是一種基于超寬禁帶半導(dǎo)體材料的光電探測(cè)器，主要用于日盲紫外光的探測(cè)。其獨(dú)特的物理化學(xué)特性使其在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣泛的前景。探測(cè)器性能由于材料不同、結(jié)構(gòu)不同、制備工藝以及應(yīng)用場(chǎng)景的不同的區(qū)別會(huì)有較大的性能差異。而性能指標(biāo)之間往往存在制約，例如暗電流和輸出電流... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

超寬禁帶半導(dǎo)體材料光電探測(cè)器 2024-11-15 10:00

【泰克應(yīng)用分享】如何用4200A－SCS進(jìn)行晶圓級(jí)可靠性測(cè)試？

每個(gè)芯片上更多器件和更快時(shí)鐘速度的不斷發(fā)展，推動(dòng)了幾何形狀縮小、新材料和新技術(shù)的發(fā)展。由于更脆弱、功率密度更高、器件更復(fù)雜和新的失效機(jī)制，所有這些因素都對(duì)單個(gè)器件的壽命和可靠性產(chǎn)生了巨大的影響，曾經(jīng)壽命為100年的器件的生產(chǎn)工藝現(xiàn)在可能只有10年的壽命，這與使用這些器件的預(yù)期工作壽命非... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

泰克4200A－SCS晶圓級(jí)可靠性測(cè)試 2023-10-25 11:50

【泰克干貨分享】閃爍噪聲的監(jiān)測(cè)，詳解用SCS參數(shù)分析儀測(cè)試1／f噪聲

電子器件會(huì)有不同類(lèi)型的噪聲源，包括熱噪聲、白噪聲和1/f噪聲。1/f噪聲是低頻電子噪聲，其電流（ISD）或功率（PSD）頻譜密度與頻率成反比，見(jiàn)下圖典型噪聲譜，前面是1/f噪聲，大小和頻率相反，后面是白噪聲，均勻分布。由于1/f噪聲反映了器件的質(zhì)量、可靠性等參數(shù) , 其研究越來(lái)越為人們所重視。 1/f... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

泰克閃爍噪聲 SCS參數(shù)分析儀 2023-8-29 15:04

泰克參加【全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議】，助力半導(dǎo)體物理的技術(shù)發(fā)展和革新

為促進(jìn)半導(dǎo)體物理研究領(lǐng)域的學(xué)術(shù)交流，把握國(guó)際重大前沿領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)向，提升國(guó)際學(xué)術(shù)影響力，兩年一度的【全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議】于2023年7月13-16日在上海舉行。會(huì)議內(nèi)容包括特邀報(bào)告、邀請(qǐng)報(bào)告、口頭報(bào)告、海報(bào)，會(huì)議云集學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)各界多位相關(guān)領(lǐng)域的院士及政府領(lǐng)導(dǎo)、科研單位、高校知名專(zhuān)家學(xué)者... （來(lái)源：新聞?lì)l道）

泰克半導(dǎo)體物理技術(shù) 2023-7-18 15:02

2022上半年，測(cè)試測(cè)量行業(yè)都在上演什么？

好像剛剛還站在虎年的新起點(diǎn)，眨眼2022已過(guò)半。這半年，共同的關(guān)鍵詞有社會(huì)面的動(dòng)態(tài)清零、復(fù)工復(fù)產(chǎn)、遠(yuǎn)程辦公；有熱點(diǎn)行業(yè)的5G/6G、新能源車(chē)/ADAS/智能汽車(chē)、萬(wàn)物互聯(lián)、第三代半導(dǎo)體等等；數(shù)字營(yíng)銷(xiāo)的線(xiàn)上直播、大講堂及各種活動(dòng)推廣。深耕測(cè)試測(cè)量行業(yè)幾十年甚至更久的是德科技、泰克、R&S、NI、安... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

測(cè)試測(cè)量無(wú)線(xiàn)通信 6G WiFi 7 2022-6-29 14:21

別被低頻噪聲嚇到，使用4200A－SCS參數(shù)分析儀測(cè)量1／f電流噪聲

作者: 泰克科技電子器件本身就有各種不同的噪聲源，包括熱噪聲、散粒噪聲、白(寬帶)噪聲和1/f (閃爍效應(yīng))噪聲。1/f 噪聲是低頻電子噪聲，其中電流 (ISD) 或功率 (PSD) 頻譜密度與頻率成反比。許多元器件類(lèi)型都會(huì)有 1/f 噪聲，包括半導(dǎo)體器件、某些類(lèi)型的電阻器、石墨烯之類(lèi)的 2D 材料，甚至包括化學(xué)電池... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

低頻噪聲分析儀測(cè)量電流噪聲 2021-11-5 15:06

低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征

半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。在為半導(dǎo)體器件電氣特點(diǎn)編制準(zhǔn)確的BG時(shí)，比如特殊的NANO-FETs，業(yè)內(nèi)的科研人員、科學(xué)家和工程師都面臨著一個(gè)共同的問(wèn)題。... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

MOSFET表征觸摸屏顯示器控制 2021-10-26 09:37

【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之八：低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征

作者: 泰克科技技術(shù)大咖Andrea Vinci半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。在為半導(dǎo)體器件電氣特點(diǎn)編制準(zhǔn)確的報(bào)告時(shí)，比如特殊的NANO-FETs，業(yè)內(nèi)的科研人員、科... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

低功率 MOSFET 觸摸屏顯示器控制 2021-10-21 10:55

电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

搜索關(guān)鍵詞

如何利用4200A－SCS參數(shù)分析儀研究光伏材料和太陽(yáng)能電池的電學(xué)特性

泰克2025新年展望：深化數(shù)智化賦能，加速本土產(chǎn)業(yè)升級(jí)

【“源”察秋毫系列】下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測(cè)器應(yīng)用與測(cè)試

【泰克應(yīng)用分享】如何用4200A－SCS進(jìn)行晶圓級(jí)可靠性測(cè)試？

【泰克干貨分享】閃爍噪聲的監(jiān)測(cè)，詳解用SCS參數(shù)分析儀測(cè)試1／f噪聲

泰克參加【全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議】，助力半導(dǎo)體物理的技術(shù)發(fā)展和革新

2022上半年，測(cè)試測(cè)量行業(yè)都在上演什么？

別被低頻噪聲嚇到，使用4200A－SCS參數(shù)分析儀測(cè)量1／f電流噪聲

低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征

【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之八：低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征