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氧化鎵（Ga2O3）探測器是一種基于超寬禁帶半導體材料的光電探測器，主要用于日盲紫外光的探測。其獨特的物理化學特性使其在多個應用領域中展現出廣泛的前景。探測器性能由于材料不同、結構不同、制備工藝以及應用場景的不同的區別會有較大的性能差異。而性能指標之間往往存在制約，例如暗電流和輸出電流... （來源：技術文章頻道）
超寬禁帶半導體材料光電探測器 2024-11-15 10:00
今年2月，杭州鎵仁半導體有限公司聯合浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用自主開創的鑄造法成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片，成為國內首個掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術的產業化公司。氧... （來源：新聞頻道）
氧化鎵單晶 2024-3-25 14:52
9月5日，北京市人民政府發布關于印發《北京市促進未來產業創新發展實施方案》的通知。實施方案指出：圍繞新型能源系統建設需求，在房山、通州、昌平、大興、懷柔、延慶、經開區等區域，重點發展氫能、新型儲能、碳捕集封存利用等細分產業。 新型儲能：加強先進儲能... （來源：新聞頻道）
液流電池儲能先進壓縮空氣儲能系統集成技術 2023-9-25 09:33
近日，從順義科創集團獲悉，入駐企業北京銘鎵半導體有限公司實現4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，成為國內首批掌握第四代半導體4英寸氧化鎵單晶襯底生長技術公司之一。 銘鎵半導體工作人員在做相關試驗。 北京銘鎵半導體有限公司創始人、董事長陳政委向記者介紹，穩態氧化鎵晶體為單斜結構，存在（100）... （來源：新聞頻道）
銘鎵半導體4英寸氧化鎵晶圓襯底技術 2023-3-13 14:40
據財聯社報道，美國商務部周五發布一項臨時最終規定，對設計GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路所必須的ECAD軟件；金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料；燃氣渦輪發動機使用的壓力增益燃燒(PGC)等四項技術實施新的出口管制。 據悉，GAAFET晶體管技術是相對于FinFET晶體管更先進的技術，Fin... （來源：新聞頻道）
EDA 2022-8-15 15:11
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