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該系列產品支持多種拓撲結構、電流和電壓范圍為滿足電力電子系統對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求,功率元件正在不斷發展。為了向系統設計人員提供廣泛的電源解決方案,Microchip Technology(微芯科技公司)今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件... (來源:新品頻道)
Microchip IGBT 7 功率器件組合 2024-11-15 09:26
高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設計人員現在有機會在提高性能的同時,應對所有其他挑戰。在過去20年間,額定電... (來源:技術文章頻道)
功率轉換 SiC MOSFET 2022-12-20 09:53
Microchip Technology Inc.Xuning Zhang和Kevin Speer高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設計人員現在有機會在提高... (來源:技術文章頻道)
Microchip SiC MOSFET 2022-11-22 11:35
Microchip Technology Inc.Nitesh Satheesh/Tomas Krecek/Perry Schugart/Xuning Zhang/Kevin Speer綠色倡議持續推動工業、航空航天和國防應用,尤其是運輸行業的電力電子系統設計轉型。碳化硅(SiC)是引領這一趨勢的核心技術,可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現電氣化,從而減少溫室氣體(... (來源:技術文章頻道)
碳化硅(SiC)電源管理數字柵極驅動技術萬物電氣化 2022-11-2 11:32
圖源:stock.adobe.com/Grispb 第三代半導體指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)和金剛石為代表的化合物半導體,該類半導體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV,因此也被稱為寬禁帶(WBG)半導體材料。與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比,GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子... (來源:技術文章頻道)
半導體器件功率電子5G新能源汽車 2022-1-24 10:08
Microchip的加速碳化硅(SiC)開發工具包包括快速優化Microchip SP6LI 低電感SiC模塊和系統系列性能所需的硬件和軟件元素。 該新工具使設計人員可以利用AgileSwitch®智能配置工具(ICT)和設備編程器,通過軟件升級來調整系統性能,無需焊接。 Microchip的SP6LI 超低電感SiC MOSFET電源模塊在8... (來源:新品頻道)
MicrochipSP6LI 2021-3-1 12:09
專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch®相臂SiC MOSFET模塊。此高度集成的緊湊型功率模塊由碳化硅 (SiC) MOSFET和SiC二極管構成,將這兩種器件的優勢集成到了一個解決方案之中。AgileSwitch模塊支持一... (來源:新品頻道)
貿澤 Microchip AgileSwitch SiC MOSFET 2020-10-15 15:01
從火車、有軌電車和無軌電車,到公共汽車、小汽車和電動汽車充電樁,全球交通電氣化轉型仍在加速,各國紛紛采用效率更高、技術更創新的交通方式。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出AgileSwitchÒ數字可編程柵極驅動器和SP6LI SiC功率模塊工具包。新工具包是一個統一的系... (來源:新品頻道)
MicrochipSiCAgileSwitch 2020-9-1 13:32
Microsemi公司的MSCSICSP6/REF3是新一代SiC MOSFETS和SiC SBD,具有零反向恢復電荷,從而提升系統效率,具有高熱導率,是通常硅器件的2.5X,從而降低尺寸和提高工作溫度以及功率密度等優勢,滿足AEC-Q101規范,主要用在工業如馬達驅動,焊接,UPS和SMPS,汽車如EV電池充電器,動力總成,智能能源如PV逆變器,風力渦輪... (來源:解決方案頻道)
SiC MOSFET工業應用汽車電子智能能源 2018-8-1 10:58
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