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抗噪能力和設計靈活性都得到改進，適合工業和車用電源、轉換器和電機驅動裝置 意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。 工業級晶體管STL300N4F8和車規晶體管STL305N... （來源：新品頻道）
ST STripFET F8技術40V MOSFET 2025-1-20 10:50
抗噪能力和設計靈活性都得到改進，適合工業和車用電源、轉換器和電機驅動裝置 意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。 工業級晶體管STL300N4F8 和 車... （來源：新品頻道）
意法半導體 STripFET F8技術40V MOSFET 2024-11-29 14:02
意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身，實現高效的開關性能。因此，STL120N10... （來源：新品頻道）
意法半導體STL120N10F8STripFET F8晶體管 2023-5-24 15:38
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