前往首頁 聯系我們 網站地圖
至今半導體產業發展歷經了三個階段,分別是20世紀50年代誕生的以硅(Si)為代表的第一代半導體材料,及以80年代誕生的砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導體材料,和如今以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶為代表的第三代半導體材料,且愈來愈被受到高度的重視。以碳化硅(SiC)為例,憑借其禁帶寬度... (來源:新聞頻道)
羅姆SiC功率元器件市場 碳化硅(SiC) SiC分立器件 2019-7-9 15:52
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099