前往首頁 聯(lián)系我們 網(wǎng)站地圖
安森美具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET,特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅(SiC)優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu),可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。 ... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性,適用于高功率應(yīng)用場景 Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色,采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊,尺寸僅為14 mm ×18.... (來源:新品頻道)
Nexperia頂部散熱封裝技術(shù)碳化硅1200 V SiC MOSFET 2025-3-20 15:02
全球能源行業(yè)正處在一場持續(xù)而深刻的變革之中——即從化石燃料能源,向可再生能源的轉(zhuǎn)變。這個過程盡管曲折,但是對于大趨勢大家早已有了共識,加之近年來智能電網(wǎng)、儲能系統(tǒng)等關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展,進一步掃清了可再生能源部署和應(yīng)用的障礙,其未來的發(fā)展勢頭將更為迅猛。 根據(jù)國際能源署(IE... (來源:技術(shù)文章頻道)
太陽能光伏逆變器儲能系統(tǒng) 2025-2-3 09:10
初期聚焦于用于車載充電器的QDPAK封裝碳化硅MOSFET器件奈梅亨,2024年11月6日:Nexperia今天宣布已與領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商KOSTAL(科世達)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,旨在生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴(yán)苛要求的寬禁帶(WBG)器件。根據(jù)合作條款,Nexperia將開發(fā)、制造和供應(yīng)由Kostal設(shè)計和驗證的寬禁帶功率電子器件。此次... (來源:新聞頻道)
NexperiaKOSTAL車載充電器寬禁帶功率電子器件MOSFET器件 2024-11-6 11:10
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和環(huán)保意識的提升,電動汽車、混合動力汽車等新能源汽車在全球范圍內(nèi)得到了廣泛的推廣和應(yīng)用。作為新能源汽車的“加油站”,充電樁不僅是連接電網(wǎng)和電動汽車的橋梁,也是實現(xiàn)智能電網(wǎng)、促進可再生能源利用、推動城市交通電氣化轉(zhuǎn)型的重要基礎(chǔ)設(shè)施。中國電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施促進... (來源:技術(shù)文章頻道)
電動汽車 充電樁 安森美 2024-10-15 11:27
作者:Doctor M當(dāng)前,全球主要國家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達峰”的時間表。在具體實現(xiàn)的過程中,軌道交通將是一個重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能,且?guī)哟罅炕A(chǔ)設(shè)施建設(shè),因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業(yè)的“碳達峰”路徑有差異,但總體實現(xiàn)時間將較為接近。在中國,這個時間節(jié)點是2030年... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC 軌道交通碳達峰 2022-11-11 17:02
當(dāng)前,全球主要國家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達峰”的時間表。在具體實現(xiàn)的過程中,軌道交通將是一個重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能,且?guī)哟罅炕A(chǔ)設(shè)施建設(shè),因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業(yè)的“碳達峰”路徑有差異,但總體實現(xiàn)時間將較為接近。在中國,這個時間節(jié)點是2030年之前。當(dāng)然,“... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC 軌道交通 碳化硅 2022-11-3 15:18
基本半導(dǎo)體秉承科技創(chuàng)新的理念,致力于打造行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅IDM企業(yè)。基本半導(dǎo)體董事長汪之涵博士在接受中央電視臺新聞頻道記者采訪時談到:“功率半導(dǎo)體芯片,是電能高效控制和轉(zhuǎn)換的核心技術(shù),關(guān)系到國計民生和國家安全。‘十四五’我們國家進入新的發(fā)展階段,對于芯片這種卡脖子技術(shù),我們更要對標(biāo)國... (來源:新聞頻道)
基本半導(dǎo)體新能源汽車SiC第三代半導(dǎo)體 2021-4-20 10:18
簡介功率半導(dǎo)體開關(guān)通常在用于電路設(shè)計時,能夠在不增加開關(guān)損耗的情況下減小電流傳導(dǎo)期間的損耗,這是其一大優(yōu)勢。在各種電路保護應(yīng)用中,器件需要連續(xù)傳送電流,較低的傳導(dǎo)態(tài)損耗有利于使系統(tǒng)保持較高的效率,并將產(chǎn)生的廢熱降至最低。如果在這些應(yīng)用中需要放心地使用這些功率開關(guān),必須滿足各種類型... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC FET 功率晶體管 2019-12-10 15:16
至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷經(jīng)了三個階段,分別是20世紀(jì)50年代誕生的以硅(Si)為代表的第一代半導(dǎo)體材料,及以80年代誕生的砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體材料,和如今以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶為代表的第三代半導(dǎo)體材料,且愈來愈被受到高度的重視。以碳化硅(SiC)為例,憑借其禁帶寬度... (來源:新聞頻道)
羅姆SiC功率元器件市場 碳化硅(SiC) SiC分立器件 2019-7-9 15:52
中電網(wǎng) 中國電子行業(yè)研發(fā)工程師一站式服務(wù)平臺
關(guān)于中電網(wǎng) 廣告招商 聯(lián)系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網(wǎng)導(dǎo)航 手機中電網(wǎng) 中電網(wǎng)官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網(wǎng) 版權(quán)所有 京ICP備19016262號-2 京公網(wǎng)安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099