前往首頁 聯系我們 網站地圖
新推出器件是業界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴展Transphorm多樣化的產品封裝組合代表著下一代電源系統未來的,氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克股票代碼:TGAN)近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN® FET。新產品TP65H070G4RS 晶體管的導通... (來源:新聞頻道)
TransphormTOLT封裝FET器件TP65H070G4RS 晶體管 2023-11-29 11:13
三種新器件為基于SMD的高功率系統帶來了SuperGaN的常關D模式平臺優勢,該系統要求在緊湊的占地面積內以較低的熱阻獲得更高的可靠性及性能Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)是強大的GaN功率半導體(下一代電力系統的未來)領域全球領先的企業。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN®FET,其導通電... (來源:新聞頻道)
Transphorm TOLL FET GaN 2023-10-11 14:49
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099