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↓在全部中搜索到 59 條關于“coolgan”的信息，用時:0.026 sec.

英飛凌 CoolGaN 功率晶體管賦能SounDigital放大器，更小尺寸、更高保真

由于市場對于音頻設備的緊湊、輕便、高集成度和節能的需求越來越高，領先的音頻設備制造商在不斷提高音質的同時，也在努力滿足這一需求。另外，他們還必須實現無縫連接、保證成本效益，并提供對用戶友好的功能，這使得音頻產品的開發變得更加復雜。為了解決這些難題，SounDigital在其全新1500 W D類放大...
英飛凌CoolGaN 功率晶體管SounDigital放大器 2025-03-03

英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN G3晶體管，推動全行業標準化進程

氮化鎵（GaN）技術在提升功率電子器件性能水平方面起到至關重要的作用。但目前為止，GaN供應商采用的封裝類型和尺寸各異，產品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用R...
英飛凌CoolGaN G3晶體管 2025-02-27

英飛凌推出全新CoolGaN Drive產品系列，包括帶有集成驅動器的集成單開關和半橋

消費電子和工業應用領域正呈現出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發展趨勢。而這些趨勢都需要緊湊高效的設計，同時還需采用非常規 PCB設計，此類設計面臨嚴格的空間限制，從而限制了外部元件的使用。為應對這些挑戰，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN™ Drive產...
英飛凌CoolGaN Drive產品系列集成單開關和半橋 2024-08-14

英飛凌推出提升消費和工業應用性能的CoolGaN 700 V功率晶體管

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新CoolGaN™晶體管700 V G4產品系列。與市場上的其他氮化鎵（GaN）產品相比，該系列晶體管的輸入和輸出性能優化了20%，從而提高效率，降低功率損耗，并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣...
英飛凌CoolGaN 700 V功率晶體... 2024-07-11

英飛凌發布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導體器件系列。這使客戶能夠將氮化鎵（GaN）的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓，進一步推動數字化和低碳化進程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個產品系列采用英飛凌自主研發的高性能 8 英寸...
英飛凌8英寸晶圓代工工藝CoolGaN晶體管系列 2024-07-10

英飛凌推出CoolGaN雙向開關和CoolGaN Smart Sense，提高功率系統的性能和成本效益

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出兩項全新的CoolGaN™產品技術：CoolGaN™雙向開關（BDS）和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS擁有出色的軟開關和硬開關性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開關，適用于移動設備USB端口、電池管理系統、逆變...
英飛凌CoolGaN雙向開關CoolGaN Smart Sense 2024-07-10

英飛凌混合反激式控制器XDP與CoolGaN IPS深度融合，助力安克創新打造具有更高效率和功率密度的新快充產品

隨著移動設備、筆記本電腦和電池供電設備的不斷增加，消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。這一趨勢給工程師出了一道“難題”：如何在更小的尺寸內實現更高的功率水平，同時滿足散熱要求。為了滿足消費者的充電需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發布了一項創新的...
英飛凌反激式控制器XDPCoolGaN IPS 2022-07-27

[原創]Infineon 600V CoolGaN 3600W LLC DC/DC轉換器解決方案

Infineon公司的IGT60R190D1S是600V CoolGaN™增強模式氮化鎵(GaN)功率晶體管,它比硅器件具有基本優勢,特別是更高的臨界電場非常適合功率半導體器件,具有杰出動態開關電阻和更小電容,使得GaN HEMT更適合高速開關應用.GaN功率晶體管最重要的特性是反向恢復性能. Infineon公司的CoolGaN™晶體管...
電源管理DC／DC轉換器CoolGaNInfineon 2022-06-22

新型電源解決方案CoolGaN解析

電子器件向著小型化方向發展，GaN解決方案提供的高功率密度使器件尺寸變得更小，從而簡化了設計過程中的布局并減少了損耗。寬帶隙甚至可以在高溫下運行。 GaN器件還可以以比其硅等效器件更高的頻率工作，移動速度最高可快10倍。英飛凌的總體戰略是將當今的每一項尖端硅技術與寬帶技術相集成。英飛凌...
coolgan新型電源解決方案coolsic 2020-03-19

貿澤開售Infineon CoolGaN HEMT 支持緊湊型系統設計中的高效快速開關

專注于引入新品并提供海量庫存的半導體與電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Infineon Technologies的CoolGaN™ 氮化鎵 (GaN) HEMT。CoolGaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 提供高效率和高功率密度，幫助實現半導體電源的快速開關。CoolGan HEMT同時適合硬開關和軟開關拓撲，是...
貿澤電子CoolGaN 氮化鎵 (GaN)...開關模式電源 (SMPS)高效快速開關 2019-02-20

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