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三星電子代表昨日在韓國“AI-PIM 研討會”上表示，正按計劃逐步推進 eMRAM 內存的制程升級，目前 8nm eMRAM 的技術開發(fā)已基本完成。作為一種新型內存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 內存一樣不斷刷新數據，更為節(jié)能高效；同時 MRAM 的寫入速度又是 NAND 的 1000 倍，支持對寫入... （來源：新聞頻道）
三星電子 eMRAM 2024-6-3 14:20
來源：內容由半導體行業(yè)觀察（ID：icbank）編譯自forbesIEEE 國際電子設備會議 (IEDM) 始終是有關固態(tài)技術，特別是固態(tài)存儲器和存儲最新發(fā)展的有趣信息的來源。讓我們看看 2022 IEDM 上新興非易失性存儲器的一些發(fā)展。三星研究人員介紹了有關 28 納米嵌入式磁性隨機存取存儲器 (MRAM) 技術的信息。該器... （來源：技術文章頻道）
MRAM 存儲技術 2023-1-28 10:51
天我們來聊下新興的非易失性存儲器（eNVM）的進展，在談eNVM之前，就不得不先談起嵌入式閃存（eFlash）。 現在幾乎所有的MCU細分市場現在都使用eFlash解決方案。什么是嵌入式閃存？內置微控制器、SoC等元件的閃存一般為稱為“嵌入式閃存”。它與獨立式（Standalone）存儲器的最大區(qū)別在于是否將CM... （來源：技術文章頻道）
MCU存儲器嵌入式閃存 2021-2-7 10:22
近年來，在人工智能（AI）、5G等推動下，以MRAM（磁阻式隨機存取存儲器）、鐵電隨機存取存儲器 (FRAM)、相變隨機存取存儲器（PRAM），以及可變電阻式隨機存取存儲器（RRAM）為代表的新興存儲技術逐漸成為市場熱點。這些新技術吸引各大晶圓廠不斷投入，最具代表性的廠商包括臺積電、英特爾、三星和格芯（... （來源：新聞頻道）
MRAM 2020-8-13 11:04
GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻內存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美S... （來源：新聞頻道）
GF 12nm工藝MRAM芯片 2020-3-16 14:12
就在2018年8月，在晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)宣布停止7納米及其以下先進制程的發(fā)展之后，長期合作伙伴的處理器大廠AMD便開始將7納米Zen架構的CPU訂單全都交給臺積電代工，雙方的這兩年的合作關系非常緊密，也使得AMD獲得諸多效益。與之相比，AMD的前合作伙伴格芯在不發(fā)展先進制程的情況下，改在... （來源：新聞頻道）
格芯 22FDX eMRAM生產技術 2020-3-11 15:10
格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產流片。此次公告是一個重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯網(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應用中作為先進工藝節(jié)點的高性價比選擇。格... （來源：新聞頻道）
格芯 22FDX平臺 2020-3-2 10:31
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