三星電子代表昨日在韓國“AI-PIM 研討會”上表示，正按計劃逐步推進 eMRAM 內存的制程升級，目前 8nm eMRAM 的技術開發已基本完成。作為一種新型內存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 內存一樣不斷刷新數據，更為節能高效；同時 MRAM 的寫入速度又是 NAND 的 1000 倍，支持對寫入... （來源：新聞頻道）
三星電子 eMRAM 2024-6-3 14:20
來源：內容由半導體行業觀察（ID：icbank）編譯自forbesIEEE 國際電子設備會議 (IEDM) 始終是有關固態技術，特別是固態存儲器和存儲最新發展的有趣信息的來源。讓我們看看 2022 IEDM 上新興非易失性存儲器的一些發展。三星研究人員介紹了有關 28 納米嵌入式磁性隨機存取存儲器 (MRAM) 技術的信息。該器... （來源：技術文章頻道）
MRAM 存儲技術 2023-1-28 10:51
天我們來聊下新興的非易失性存儲器（eNVM）的進展，在談eNVM之前，就不得不先談起嵌入式閃存（eFlash）。 現在幾乎所有的MCU細分市場現在都使用eFlash解決方案。什么是嵌入式閃存？內置微控制器、SoC等元件的閃存一般為稱為“嵌入式閃存”。它與獨立式（Standalone）存儲器的最大區別在于是否將CM... （來源：技術文章頻道）
MCU存儲器嵌入式閃存 2021-2-7 10:22
近年來，在人工智能（AI）、5G等推動下，以MRAM（磁阻式隨機存取存儲器）、鐵電隨機存取存儲器 (FRAM)、相變隨機存取存儲器（PRAM），以及可變電阻式隨機存取存儲器（RRAM）為代表的新興存儲技術逐漸成為市場熱點。這些新技術吸引各大晶圓廠不斷投入，最具代表性的廠商包括臺積電、英特爾、三星和格芯（... （來源：新聞頻道）
MRAM 2020-8-13 11:04
GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻內存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美S... （來源：新聞頻道）
GF 12nm工藝MRAM芯片 2020-3-16 14:12
就在2018年8月，在晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)宣布停止7納米及其以下先進制程的發展之后，長期合作伙伴的處理器大廠AMD便開始將7納米Zen架構的CPU訂單全都交給臺積電代工，雙方的這兩年的合作關系非常緊密，也使得AMD獲得諸多效益。與之相比，AMD的前合作伙伴格芯在不發展先進制程的情況下，改在... （來源：新聞頻道）
格芯 22FDX eMRAM生產技術 2020-3-11 15:10
格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產流片。此次公告是一個重要的行業里程碑，表明eMRAM可在物聯網(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應用中作為先進工藝節點的高性價比選擇。格... （來源：新聞頻道）
格芯 22FDX平臺 2020-3-2 10:31
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