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應(yīng)用開發(fā)

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Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

專業(yè)研發(fā)提供節(jié)省空間的PoE ASFET和EMC優(yōu)化型NextPowerS3 MOSFET。 2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應(yīng)用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應(yīng)用專用MOSFET (...
NexperiaAPEC 2024NextPowerS3 MOSFET 2024-02-29

基于eGaN FET的50 W、12 V/60 V升壓轉(zhuǎn)換器

50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET的同步升壓轉(zhuǎn)換器采用簡單、低成本的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可實現(xiàn) 95.3%的峰值效率和低溫升。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出雙向降壓或反向升壓轉(zhuǎn)換器演示板（EPC9162）。該演示板用于同步轉(zhuǎn)換器時采用100 V的EPC2052器件，以及用于同步自舉FET電路時，采用EPC2038器件。 E...
Digi－KeyGaN宜普電源轉(zhuǎn)換器 2021-10-22

解讀UnitedSiC第四代SiC FET——RDS(on)最小僅為6mΩ

日前，UnitedSiC宣布發(fā)布僅為6mΩ導(dǎo)通電阻（RDS(on)）的SiC器件，從而響應(yīng)了電源設(shè)計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的追求。同時UnitedSiC還宣布了一系列不同導(dǎo)通電阻的SiC器件，從而滿足客戶的多元化需求。這也是2020年UnitedSiC發(fā)布首款第四代SiC FET之后的一次重大更新。UnitedSiC亞太區(qū)銷售副總...
SiC器件UnitedSiC 2021-09-29

UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK－7L碳化硅FET

新產(chǎn)品能夠為表面貼裝型功率系統(tǒng)設(shè)計提供性能、可靠性和尺寸等優(yōu)勢全球領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布繼續(xù)擴(kuò)展FET產(chǎn)品組合，并推出六款全新的650V和1200V產(chǎn)品，所有這些器件均采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝。這些最新的SiC FET可提供30、4...
UnitedSiC器件 2021-05-20

GAA FET將為2nm、3nm發(fā)展鋪平道路

一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發(fā)新工藝，包括更先進(jìn)的高遷移率版本，但是將這些技術(shù)投入生產(chǎn)將是困難且昂貴的。英特爾、三星、臺積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節(jié)點的新型全柵場效應(yīng)晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎(chǔ)，這種過渡將從明年或2023年開始。 GAA FET...
GAAFET柵極晶體管 2021-02-22

Transphorm開始供應(yīng)SuperGaN Gen V FET的樣品

高可靠性、高性能的氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN)今日宣布供應(yīng)其SuperGaNTM自主品牌旗下的首款Gen V器件的樣品。Transphorm的新型Gen V器件TP65H015G5WS瞄準(zhǔn)電動汽車(EV)市場，提供SuperGaN器件系列行業(yè)領(lǐng)先的固有性能增強(qiáng)、易設(shè)計性和優(yōu)化的成本結(jié)構(gòu)。值得...
TransphormTP65H015G5WS 2020-12-07

EPC推出170 V eGaN FET，實現(xiàn)優(yōu)越同步整流，極具成本效益

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN®FET），與目前用于高性能48 V同步整流的器件相比，EPC為設(shè)計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先...
EPCeGaN 2020-11-13

在數(shù)據(jù)中心電源和電信整流器中使用 SiC FET

我們可以預(yù)見，隨著 5G 網(wǎng)絡(luò)的部署，在世界范圍內(nèi)將有大規(guī)模的擴(kuò)建浪潮，并需要許多高質(zhì)量的電信整流器來提供所需的電力。為了滿足提高效率、降低運營成本和降低物料清單成本的需求，人們對寬帶隙解決方案重新產(chǎn)生了興趣。同樣，人們也在不斷努力提升服務(wù)器電源，使其能效水平不斷提高，同時將熱量損耗...
數(shù)據(jù)中心電源電信整流器 2020-02-21

基于Transphorm GaN FET的4kW圖騰柱PFC電源評估板

　　電能是現(xiàn)代社會運行的能量基礎(chǔ)，電能通過電源設(shè)備進(jìn)行規(guī)格轉(zhuǎn)換，將符合要求的電能輸送給用電設(shè)備。在電源設(shè)備轉(zhuǎn)換電能的過程中，會產(chǎn)生能量損耗。電源作為電能與用電設(shè)備的接口無處不在，任何一點的損耗都會被極度放大，無論從成本角度還是從環(huán)境保護(hù)的角度，我們都不能忽視這些損耗，于是降低損耗...
PFC電源評估板電路系統(tǒng)非隔離結(jié)構(gòu) 2019-07-23

--BBS主題帖: EL7585A:3.5A FET高效DC/DC轉(zhuǎn)換器

8月22日訊,Intersil公司推出高效率四路DC/DC轉(zhuǎn)換器EL7585A,用在大型(19吋和更大)TFT-LCD顯示器如電視機(jī)和臺式監(jiān)視器.Intersil的EL7585A集成了業(yè)界最大的3.5A 場效應(yīng)晶體管(FET),為大型顯示屏提供最大可能的輸出功率.
2005-08-26

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