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↓在全部中搜索到 2501 條關于“SiC”的信息，用時:0.040 sec.

通過轉移到SiC技術來獲得暖通空調更佳的SEER等級

作者：貿澤電子Mark Patrick由于能源價格在過去12個月中大幅攀升，無論是企業還是消費者都開始感到巨大壓力。在歐洲，2020年至 2021[1]期間，天然氣價格上漲了47%。以德國為例，六分之一的發電量依賴天然氣。而在美國，五分之二的電力來自于天然氣發電。在歐盟[2] ，各種空間和工業供暖消耗了約75...
SiC技術SEERMouser 2023-02-01

用于 SiC 解決方案設計的模塊化評估平臺

以碳化硅(SiC) 技術為動力的下一代功率半導體將滿足快速增長的純電動汽車 (BEV) 市場和充電基礎設施的需求，以及對新能效標準、更高工業和可再生能源領域的功率密度和更小的系統尺寸。為了充分利用 SiC，設計人員必須對其設計進行一些更改，從而導致 PCB 發生重大變化。然后提供可靠的設計來處理更高的...
SiC 半導體模塊化評估平臺 2023-01-16

雙柵結構 SiC FETs 在電路保護中的應用

2022 年 12 月 6 - 7 日，中國電工技術學會低壓電器專業委員會第二十一屆學術年會、第十七屆中國智能電工技術論壇暨固態新型斷路器技術發展及應用國際研討會（第二季）于江蘇常州順利召開。作為一場行業盛會，該會議主要圍繞固態/混合式新型斷路器的最新技術、前沿標準、全新檢測業務方向等相關解決方案...
電路保護SiC－FETs 2022-12-28

簡述碳化硅SIC器件在工業應用中的重要作用

電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深層石油開采系統、飛機系統等領域的進步。電力電子電路不斷發展以實現更高的效率，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物場效應晶體管（MO...
碳化硅SIC器件工業應用 2022-12-20

通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題

高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰。在過去20年間，額定電...
功率轉換SiC MOSFET 2022-12-20

簡述SiC MOSFET短路保護時間

IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。比如英飛凌這個820A的模塊，在5-6倍短路電流常溫條件下，即使期間短路...
SiC MOSFET短路保護 2022-12-19

使用 SiC JFET 接近完美開關

碳化硅 (SiC) JFET堅固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術，實現了價值接近材料的理論極限（圖 1）。這個品質因數直接關系到開關的實際性能及其經濟性，與競爭技術相比，每個晶圓的芯片數量更多，性能相...
SiC JFET開關技術 2022-12-16

Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法

作者：儒卓力功率產品銷售經理 Hannah Metzner和英飛凌 PSS 部門高級工程師 René Mente相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。超過 1000 V 電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但現在的...
SiC MOSFETMOSFET 驅動器 2022-12-01

如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效

作者：Bill Schweber在各種電源應用領域，例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。雖...
SiC MOSFET電源設計 2022-11-25

通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題

Microchip Technology Inc.Xuning Zhang和Kevin Speer高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高...
microchipSiC MOSFET 2022-11-22

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