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↓在全部中搜索到 279 條關于“Nexperia”的信息，用時:0.043 sec.

Nexperia推出專為汽車ESD保護優化的全新高速倒裝芯片封裝技術

全新倒裝芯片柵格陣列(FC-LGA)封裝提供出色的射頻性能，采用側邊可濕焊盤，滿足車規級質量要求Nexperia今日宣布推出一系列具有高信號完整性的雙向靜電放電(ESD)保護二極管，采用創新的倒裝芯片平面柵格陣列(FC-LGA)封裝。這項新型封裝技術經過了專門優化，旨在保護和過濾現代汽車中日益普及的高速數據通...
Nexperia雙向靜電放電(ESD)保護... 2025-04-09

Nexperia推出12通道LED驅動器，賦能ASIL－B功能安全標準汽車照明設計

有效降低發熱，助力空間受限應用實現更高集成度Nexperia今日推出一款符合AEC-Q100標準的12通道、40 V高邊LED驅動器 (IC)。該產品達到功能安全ASIL-B等級，適用于要求功能安全的汽車照明系統，可廣泛應用于尾燈、剎車燈、信號燈以及車內照明等領域。此次新品發布，精準滿足了汽車制造商對于LED驅動芯片的...
Nexperia12通道LED驅動器汽車照明 2025-03-28

Nexperia推出采用行業領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET

全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應用場景 Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18....
Nexperia頂部散熱封裝技術碳化硅1200 V SiC MOSFET 2025-03-20

Nexperia擴展GaN FET產品組合，現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求

新增產品確保了Nexperia持續擁有業內廣泛的GaN FET產品類型 Nexperia今日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高...
NexperiaGaN FET產品組合 2025-03-19

Nexperia 適用于 36V 電池系統的特定應用 MOSFET

36V 鋰離子電池是當今工具和戶外動力設備的常用電源。由 36V 電池供電的產品得益于高功率輸出和較長的電池壽命，同時也相對較輕且易于使用。然而，36V 電池的高能量密度也需要實現高效和安全的電池隔離。隔離的需求源于該技術固有的安全風險。鋰離子電池含有易燃電解質：如果損壞或充電或放電不正確，可...
NexperiaMOSFET電池系統 2022-10-28

Nexperia“Power Live”在線研討會于2020年7月2日和3日正式上線

參與有關GaN、鍺化硅、汽車應用、先進封裝等等主題的現場討論；觀看點播視頻演示半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布將在7月2日和3日舉辦線上研討會“Power Live”，會議議程涵蓋有關電源電子的廣泛主題，包括GaN器件、鍺化硅(SiGe)整流器、汽車應用和封裝技術等。參與者可以...
Nexperia“Power Live”GaN器件鍺化硅(SiGe)整流器 2020-06-30

Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術

新一代氮化鎵技術針對汽車、5G 和數據中心等應用；新器件采用了傳統的TO-247封裝和創新的銅夾片貼片封裝CCPAK半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關...
Nexperia650V 氮化鎵 (GaN) 技... 2020-06-10

Nexperia新一代 650V GaN 技術賦能汽車、5G等應用

半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯結構并優化了器件相關參數，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復...
Nexperia650V GaN 技術5G 2020-06-09

Nexperia與Ricardo合作開發基于GaN的EV逆變器設計

領先的汽車咨詢公司在技術演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認證的GaN FET器件奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率...
NexperiaRicardo氮化鎵(GaN)技術EV逆變器設計 2020-02-26

MJD 雙極晶體管（高達 8 A）豐富了 Nexperia 功率產品系列

符合 AEC－Q101 標準的高質量、高可靠性元件總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標準以及消費者/工業標準）。該款產品組合包括8款同時支持 80 V 和 100 V 及NPN 和 PNP 型的元...
NexperiaMJD 雙極晶體管 2019-12-02

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