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↓在全部中搜索到 2356 條關于“Gan”的信息，用時:0.039 sec.

EPC更新GaN功率晶體管及集成電路播客內容

宜普電源轉換公司（EPC）依據《氮化鎵晶體管–高效功率轉換器件》第三版教科書的增訂內容，更新了首7個、合共14個教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場效應晶體管及集成電路的理論、設計基礎及應用，例如激光雷達、DC/DC轉換及無線電源等應用。宜普電源轉換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的“如...
EPCGaN功率晶體管 2020-04-16

面向商業和軍事應用的Qorvo QPA2308 60W GaN功率放大器登陸貿澤

專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷Qorvo的QPA2308 MMIC 功率放大器。QPA2308專為商業和軍事應用而設計，能為5至6 GHz 射頻 (RF) 設計提供高功率密度和附加功率效率。這款單片微波集成電路 (MIMC) 功率放大器采用Qorvo 的0.25 um碳化硅基氮化...
貿澤QorvoQPA2308 MMIC 功率放大... 2019-10-30

安森美半導體的NCP51820高速氮化鎵(GaN)門極驅動器在中國獲2019年度“Top 10電源產品獎”

行業認可首款用于 GaN功率開關的高性能、650 V高壓半橋門極驅動器推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，今日宣布其NCP51820高速門極驅動器獲21IC中國電子網選為2019年度 “Top 10電源產品獎”。該年度獎項是中國備受認同的確定10大最具開創性的設計及技術有顯著...
安森美半導體NCP51820高速門極驅動...“Top 10電源產品獎” 2019-09-11

海威華芯：已開發5G基站用GaN代工工藝，發布毫米波頻段用砷化鎵工藝

公司已經開發了5G中頻段小于6GHz的基站用氮化鎵代工工藝、手機用砷化鎵代工工藝，發布了毫米波頻段用0.15um砷化鎵工藝。砷化鎵VCSEL激光器工藝、電力電子用硅基氮化鎵制造工藝在2019年也取得了較大的進展。未來，海威華芯將持續圍繞移動通信、光電傳感、電力電子三個方向投入研發、拓展業務。成都海威華...
GaN代工工藝砷化鎵工藝GaAs集成電路制造技術 2019-05-21

MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率放大器(PA)模塊

10W全匹配兩級功率放大器，頻率范圍為225 - 2600 MH可靈活安裝于設備的頂端或底端安裝，簡化無線電設備設計，更小、更輕MACOM的MAMG-100227-010功率放大器現已正式發售全球領先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊...
MACOMMAMG－100227－010寬帶...硅基氮化鎵 2019-02-15

歐司朗攜GaN Systems推出LiDAR用超高速激光驅動器

歐司朗光電半導體日前宣布，已經推出了一款用于激光雷達系統的超高速激光驅動器，該激光驅動器采用了高功率多通道表面貼裝（SMT）激光器。歐司朗聯合氮化鎵功率開關半導體領先開發商GaN Systems開發了上述設備。雙方表示這種設備能夠實現更長距離和更高分辨率的激光雷達架構。歐司朗已將SPL DS90A_3脈沖...
高速激光驅動器激光雷達系統 2019-01-08

基于GaN面向全自動駕駛汽車的高分辨率激光雷達技術

EPC公司基于氮化鎵（GaN）器件主要應用于家居無線電源系統及全自動駕駛汽車的激光雷達系統（LiDAR）。EPC家居用無線電源面向各種消費電子用品充電，并傳送足夠的功率，同時對電腦、桌燈、鬧鐘、掌上型電腦、手機及便攜裝置進行充電而不需要任何電源線，特別是利用無線充電可對數字機械人助手充電。此外...
自動駕駛汽車激光雷達技術 2019-01-03

德州儀器用2000萬個小時給出使用氮化鎵（GaN）的理由

德州儀器(TI)氮化鎵解決方案高級技術戰略經理 Masoud Beheshti 近期發布了一篇標題為《德州儀器用2000萬個小時給出使用氮化鎵（GaN）的理由》的技術文章。以下是文章全文：在多倫多一個飄雪的寒冷日子里。我們幾個人齊聚在本地一所大學位于地下的高級電力電子研究實驗室中，進行一場頭腦風暴。有點諷刺...
德州儀器LMG3410R070氮化鎵功率器件 2018-11-27

--BBS主題帖: Nitronex開發了45W GaN-on-Silicon RF功率三極管

用于寬帶和商業無線基礎設施市場的GaN-on-Silicon RF功率器件領先的生產商Nitronex公司，開發了一款氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT），28V時可提供45W，用于高PAR（功率峰均比）以及脈沖應用。NPT1004使用具有專利的SIGANTIC NRF1工藝設計，一個DC到4 GHz的寬帶高功率密度GaN-on-Si HEMT，采用成本有效...
2008-04-02

--BBS主題帖: Toshiba 推出Ku波段GaN功率型場效應管

東芝宣布已經開發出一個新的GaN（Gallium nitride）功率型場效應管（FET），用于Ku波段（12GHz到18GHz）頻率范圍，當輸出功率為65.4W時可達14.54GHz。這一新三極管的主要應用為載有高容量信號的衛星微波通信的基站，包括高清晰廣播。東芝計劃這一新的功率FET將在2007年底試銷，2008年3月量產。
2007-10-30

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