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↓在全部中搜索到 388 條關(guān)于“EUV”的信息，用時:0.031 sec.

高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進(jìn)存儲器的路線圖

作者：泛林集團(tuán) 先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽博士、先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部 / CTO辦公室研究員 Samantha Tan 和全球產(chǎn)品事業(yè)部副總裁 Richard Wise隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來三到五年生產(chǎn)可...
存儲器技術(shù)3D NAND閃存硬掩膜沉積 2022-01-10

你準(zhǔn)備好加速你的DDR5設(shè)計了嗎?

作者: 益萊儲DDR內(nèi)存無處不在!它不再只出現(xiàn)在筆記本電腦、工作站和服務(wù)器上，現(xiàn)在也大量嵌入到一系列場所和設(shè)備中，包括汽車和高速數(shù)據(jù)中心。DDR還將擴(kuò)展到令人興奮的新技術(shù)領(lǐng)域，如人工智能、云計算、增強(qiáng)現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)。因此，更快的網(wǎng)絡(luò)速度和下一代高速計算接口將需要更快的內(nèi)存。您的雙數(shù)據(jù)速率(DD...
DDR5設(shè)計筆記本電腦DDR內(nèi)存服務(wù)器 2021-11-24

為摩爾定律“續(xù)命”，Chiplet技術(shù)能行嗎？

在超越摩爾定律的技術(shù)方向上，業(yè)界有很多熱議，最熱門的莫過于通過更先進(jìn)的工藝制程來提升單位面積內(nèi)晶體管的密度。然而，出于成本和技術(shù)難度等多方面的考慮，并非所有設(shè)計都需要采用7nm、5nm甚至3nm這樣的高階制程。隨著單片集成的成本不斷上升，許多企業(yè)開始探索其他選擇，先進(jìn)的封裝技術(shù)如2.5D和3D系...
Chiplet技術(shù)3D V－Cache處理器 2021-11-23

從經(jīng)濟(jì)學(xué)角度看FPGA的作用

當(dāng)今世界充滿了越來越復(fù)雜的高科技設(shè)備，這些功能過去只是在科幻小說中提到過。當(dāng)我們使用聯(lián)網(wǎng)設(shè)備并使用手機(jī)拍攝高清照片時，很少有人會考慮底層技術(shù)。很少有人意識到每個設(shè)備內(nèi)的物理和市場動態(tài)所造成的緊張感，這使得每一代設(shè)備都越來越難以設(shè)計和制造。對低功耗和更多功能的追求，推動了集成度的發(fā)...
FPGA嵌入式處理器 2021-10-28

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（上篇）

當(dāng)聽到“半導(dǎo)體”這個詞時，你會想到什么？它聽起來復(fù)雜且遙遠(yuǎn)，但其實已經(jīng)滲透到我們生活的各個方面：從智能手機(jī)、筆記本電腦、信用卡到地鐵，我們?nèi)粘Ｉ钏蕾嚨母鞣N物品都用到了半導(dǎo)體。每個半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造都需要數(shù)百個工藝，泛林集團(tuán)將整個制造過程分為八個步驟：晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜...
半導(dǎo)體制造晶圓加工 2021-07-29

英特爾加速制程工藝和封裝技術(shù)創(chuàng)新

英特爾加速制程工藝和封裝技術(shù)創(chuàng)新,加強(qiáng)每年創(chuàng)新的節(jié)奏，推動從芯片到系統(tǒng)全面領(lǐng)先 2021年7月27日，英特爾CEO帕特•基辛格在“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上發(fā)表演講。在這次線上發(fā)布會中，英特爾提出了未來制程工藝和封裝技術(shù)路線圖。（圖片來源：英特爾）新聞重點(diǎn)•...
制程工藝封裝技術(shù)英特爾 2021-07-29

后摩爾時代，芯片業(yè)將迎來哪些顛覆性技術(shù)？

業(yè)界認(rèn)為，再過10年，芯片產(chǎn)業(yè)會進(jìn)入后摩爾時代。當(dāng)晶體管收縮不再可行時，創(chuàng)新不會停止，新材料、異構(gòu)整合等會成為提高芯片性能的突破方向，如3D封裝、第三代半導(dǎo)體、碳納米管芯片、量子芯片等。摩爾定律仍在發(fā)揮余熱半導(dǎo)體工業(yè)誕生于上世紀(jì)70年代。1965年，時任仙童半導(dǎo)體的工程師摩爾預(yù)言了集成電路...
摩爾定律芯片產(chǎn)業(yè) 2021-05-17

泛林集團(tuán)全新干膜光刻膠技術(shù)突破技術(shù)瓶頸，滿足下一代器件的縮放需求

隨著芯片制造商開始轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，愈發(fā)精細(xì)的特征成為了棘手的難題。其中一個主要難點(diǎn)是將芯片設(shè)計轉(zhuǎn)到晶圓上的材料，因為當(dāng)前的材料很快就無法滿足精細(xì)度要求。為了能及時滿足下一代器件的縮放要求，泛林集團(tuán)推出了一項突破性的干膜光刻膠技術(shù)。要更好地了解該解決方案，我們需要首先了解圖形...
干膜光刻膠技術(shù)芯片設(shè)計晶圓 2021-04-14

芯片內(nèi)上百億的晶體管，是怎么“安”上去的？

如今的7nm EUV芯片，晶體管多達(dá)100億個，它們是怎么樣安上去的呢？晶體管并非是安裝上去的，芯片制造其實分為沙子-晶圓，晶圓-芯片這樣的過程，而在芯片制造之前，IC設(shè)計要負(fù)責(zé)設(shè)計好芯片，然后交給晶圓代工廠。芯片設(shè)計分為前端設(shè)計和后端設(shè)計，前端設(shè)計（也稱邏輯設(shè)計）和后端設(shè)計（也稱物理設(shè)計）并...
晶體管芯片 2021-03-11

GAA FET將為2nm、3nm發(fā)展鋪平道路

一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發(fā)新工藝，包括更先進(jìn)的高遷移率版本，但是將這些技術(shù)投入生產(chǎn)將是困難且昂貴的。英特爾、三星、臺積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節(jié)點(diǎn)的新型全柵場效應(yīng)晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎(chǔ)，這種過渡將從明年或2023年開始。 GAA FET...
GAAFET柵極晶體管 2021-02-22

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