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↓在全部中搜索到 2356 條關于“Gan”的信息，用時:0.039 sec.

Qorvo－揭秘熱設計集成電路設計的關鍵密碼

本文將帶您深入探討設計工程師在熱設計過程中需要關注的一些關鍵問題。具體來說，我們將聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應用中所面臨的相關熱問題。針對可靠性的熱設計熱設計是一個復雜的課題，但其中也有一些基礎原理值得深入探討。首先讓我們回顧一下在印刷電路板（PCB）上采用塑封半導體時的...
Qorvo關鍵密碼大功率氮化鎵（GaN）器... 2024-06-11

面向未來的電源開關解決方案

在汽車、工業(yè)和逆變器應用中，對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領域，通過提高電機驅動效率和加快電池充電速度，此類優(yōu)化對于擴展性能和延長續(xù)航里程至關重要。對于工業(yè)而言，提高效率是減少全球能源消耗和增強可持續(xù)性的必需條，因此當前重點是直流微電網(wǎng)技術的效率...
電源開關電源SiCGaNIGBTMOSFET 2024-05-10

揭秘熱設計：集成電路設計的關鍵密碼

作者：David Schnaufer 來源：Qorvo半導體熱設計是一個至關重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領域；但其對于集成電路設計的意義卻不容忽視——畢竟，溫度是導致大多數(shù)半導體在現(xiàn)實應用中失效的最大環(huán)境因素。元件的預期壽命會隨著溫度的每一度升...
熱設計GaN集成電路設計 2024-04-28

測試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 動態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn)　　Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人...
GaN 功率器件氮化鎵 2024-04-01

硅基氮化鎵在射頻市場的應用日益廣泛

氮化鎵技術將繼續(xù)在國防和電信市場提供高性能和高效率。射頻應用目前主要是碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導地位，但它的出現(xiàn)將影響供應鏈，并可能影響未來的電信技術。1990年代，美國國防部認識到，與InP、GaAs HBT、GaAs HEMT和Si ...
硅基氮化鎵射頻市場RF－GaN碳化硅 2023-09-21

什么是寬禁帶半導體？

半導體迄今為止共經歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等...
寬禁帶半導體SiCGaN 2023-05-04

還在為用氮化鎵設計高壓電源犯難？試試這兩個器件

作者： Art Pini面對社會和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎設施的應用，電源轉換效率和功率密度是設計成功的關鍵。為了滿足這些要求，開關模式電源系統(tǒng)的設計者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶...
氮化鎵電源管理GaN FET 2023-04-06

大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi產品的500W服務器電源方案

2022年12月21日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1681控制器和NCP58921 GaN器件的500W服務器電源方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產品的500W服務器電源方案的展示板圖近年來，公有云、私有云市場的快速增長以及數(shù)據(jù)中心大量...
NCP58921 GaN器件500W服務器電源方案 2022-12-21

滿足高功率應用與高效電池隔離需求的解決方案

在新能源電動車發(fā)展趨勢的推動下，對高功率充電的需求日益殷切，而支持高功率密度、高性能和高開關頻率的氮化鎵場效應晶體管（GaN FET），成為市場上熱門的產品選擇。另一方面，目前市面上已經有眾多利用電池操作的工具與設備，為了提升電池的運作安全性、效率，并提升電池的壽命，必須采用高效的MOSFE...
GaN FET氮化鎵電池隔離 2022-10-28

紅外熱成像儀對放大器的芯片結溫的仿真測試

作者：半導體技術作者 | 崔朝探1,2，陳政1,2，郭建超3,4，趙曉雨1,2，何澤召3,4，杜鵬搏1,2,3,4，馮志紅3,4 單位 | 1.河北新華北集成電路有限公司；2.河北省衛(wèi)星通信射頻技術創(chuàng)新中心；3.中國電子科技集團公司第十三研究所摘要：隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展，其熱耗不...
紅外熱成像儀GaN 功率放大器 2022-09-30

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