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應(yīng)用開發(fā)

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TI推出其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的車用GaN FET

德州儀器（TI）今天推出了面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET），進一步豐富拓展了其高壓電源管理產(chǎn)品線。與現(xiàn)有解決方案相比，新的GaN FET系列采用快速切換的2.2 MHz集成柵極驅(qū)動器，可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達99％的效率，并將電源磁性器件的尺寸減少59...
GaN FETTI 2020-11-10

重大進展！我國實現(xiàn)晶圓級Si－GaN單片異質(zhì)集成共源共柵晶體

近日，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院關(guān)于硅與氮化鎵異質(zhì)集成芯片論文在國際半導(dǎo)體器件權(quán)威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上發(fā)表。圖片來源：西安電子科技大學(xué)新聞網(wǎng) 據(jù)悉，郝躍院士團隊提出了一種轉(zhuǎn)印和自對準(zhǔn)刻蝕方法，并首次實現(xiàn)了晶圓級的Si-GaN單片異質(zhì)集成的共源共柵...
Si－GaN單片異質(zhì) 2020-08-07

5G時代，GaN器件或?qū)⒂瓉肀l(fā)式增長

半導(dǎo)體技術(shù)在不斷提升，端設(shè)備對于半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來越高。尋找硅（Si）以外新一代的半導(dǎo)體材料也隨之變得更加重要。在50多年前被廣泛用于LED產(chǎn)品的氮化鎵（GaN），再次走入大眾視野。特別是隨著5G的逐步商用，也進一步推動了以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）代表的第三代半導(dǎo)體材...
5GGaN器件SiC 2020-05-08

Transphorm和微芯科技將高可靠性GaN和數(shù)字信號處理技術(shù)相結(jié)合以推動GaN普及

采用dsPIC® DSC快速跟蹤電源系統(tǒng)開發(fā)的4 kW PFC GaN評估板，并提供全球技術(shù)支持 4月7日--首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm Inc.今日宣布，該公司已與領(lǐng)先的微控制器提供商微芯科技公司(Microchip Technology Inc.) (NASDAQ: MCHP)合作...
GaN控制器數(shù)字信號處理 2020-04-08

用于HZZH 98%高效功率模塊的Transphorm GaN

超高效48伏模塊是半導(dǎo)體公司針對數(shù)據(jù)中心研發(fā)的最新客戶產(chǎn)品Transphorm Inc.是一家設(shè)計和制造最高可靠性產(chǎn)品的領(lǐng)先公司，其研發(fā)了第一臺符合JEDEC-和AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的高壓氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體元件。目前，經(jīng)證實，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）已開發(fā)出一種基于GaN的超高效功率模塊。...
Transphorm GaN高壓氮化鎵（GaN）功率... 2020-03-18

增加GaN技術(shù)積累實力，ST收購氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan多數(shù)股權(quán)

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST; 紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，已經(jīng)簽署收購法國氮化鎵（GaN）創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)的并購協(xié)議。Exagan的外延工藝、產(chǎn)品開發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗將拓寬并推進意法半導(dǎo)體的汽車、工業(yè)和消費用功率GaN的開發(fā)規(guī)劃和業(yè)...
Exaganst功率GaN 2020-03-09

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推動GaN技術(shù)在多領(lǐng)域發(fā)展

EPC團隊將于3月15至19日在美國新奧爾良（New Orleans）舉行的APEC 2020展覽會上，進行11場關(guān)于氮化鎵技術(shù)及應(yīng)用的演講（參考下方圖表）。此外，EPC展位（#1847）也會有多個終端客戶最新的、基于氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的產(chǎn)品亮相。 48 V DC/DC轉(zhuǎn)換器在展會上，EPC將發(fā)布ePowerTM Stage系列集...
EPCGaN技術(shù) 2020-03-05

Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計

領(lǐng)先的汽車咨詢公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET器件奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率...
NexperiaRicardo氮化鎵(GaN)技術(shù)EV逆變器設(shè)計 2020-02-26

小米GaN充電器引熱議，究竟是真實需求還是營銷噱頭？

隨著用戶對充電器通用性、便攜性的需求提高，GaN快充市場規(guī)模將快速上升，預(yù)計 2020 年全球 GaN 充電器市場規(guī)模為 23 億元，2025 年將快速上升至 638 億元，5 年復(fù)合年均增長率高達 94％。同時，綜合性能和成本兩個方面，GaN 也有望在未來成為消費電子領(lǐng)域快充器件的主流選擇，而充電市場只是 GaN 應(yīng)用...
GaN充電器 2020-02-24

臺積電攜手意法，搶車用GaN代工市場

看準(zhǔn)未來化合物半導(dǎo)體的發(fā)展，意法半導(dǎo)體(ST)與晶圓代工龍頭臺積電宣布攜手合作，加速氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）制程技術(shù)的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵元件導(dǎo)入市場。而透過此合作，意法半導(dǎo)體將采用臺積電的氮化鎵制成技術(shù)，來生產(chǎn)其創(chuàng)新與策略性的氮化鎵產(chǎn)品。臺積電指出，氮化鎵是一...
臺積電意法GaN代工市場 2020-02-21

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