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↓在全部中搜索到 368 條關于“3nm”的信息，用時:0.028 sec.

NVIDIA下代GPU已提早半年開始準備！用上3nm、芯片面積兩倍大

摩根士丹利最新研究報告指出，NVIDIA下一代Rubin GPU的供應鏈已提前半年開始準備，預計推出時間從2026年上半年提前至2025年下半年。由于將用上3nm技術、CPO（共同封裝光學元件）和HBM4（第六代高頻寬內存），新一代GPU的芯片面積將是上一代Blackwell的兩倍，摩根士丹利表示臺積電、京元電子、日月光將收...
nvidia芯片 2024-12-04

聯發科研發AI服務器芯片：最先進的臺積電3nm

天璣系列在智能手機領域已經打下一片江山，聯發科也在尋求更多突破，除了聯合NVIDIA打造PC處理器，還在悄然開發自己的AI服務器芯片。目前關于聯發科服務器芯片的細節還知之甚少，只能確定還是ARM指令集架構，當然這類產品已經不少，但始終沒有完全打開局面，服務器還是x86的天下。工藝方面，聯發科倒是...
聯發科AI服務器芯片 2024-07-18

谷歌與臺積電達成合作：首款芯片為Tensor G5、3nm工藝制造

谷歌與臺積電已達成戰略合作，成功將Tensor G5芯片樣品發送至驗證環節。此次合作標志著臺積電將正式為谷歌Pixel系列生產定制的Tensor G系列芯片，其中Tensor G5作為首款專為Pixel系列產品線設計的芯片，將采用先進的3nm工藝進行制造。與此同時，高通和聯發科兩大芯片巨頭亦緊跟行業趨勢，決定采用臺積電...
谷歌臺積電 2024-06-24

Socionext著手研發基于3nm車載工藝的ADAS及自動駕駛SoC

SoC設計與應用技術領導廠商Socionext Inc.（以下“Socionext”）宣布，目前已著手開發基于臺積電最新3nm車規工藝“N3A”的ADAS及自動駕駛定制SoC（System-on-Chip）。該產品預計于2026年開始量產。目前TSMC 3nm制程工藝已經正式量產，相較于早前的工藝，3nm制程工藝在功耗、性能，以及面積（PPA）方面都...
SocionextADAS自動駕駛SoC 2023-10-30

高通自研12核PC處理器Oryon上馬3nm

今年驍龍技術峰會上，高通宣布自研了全新的CPU核心Oryon，它將成為今后驍龍PC芯片的核心計算單元。據悉，Oryon并非基于ARM公版Cortex CPU魔改，而是在兼容ARM指令集的前提下完全重構，類似于蘋果的A系列和M系列思路。最新爆料顯示，采用Oryon CPU核的芯片代號Hamoa，目前設計為12核，其中8個性能核（大...
高通12核PC處理器 2023-01-03

傳蘋果A16芯片傳仍采用5nm工藝，M2芯片將率先采用3nm

雖然臺積電的3nm工藝即將量產，但是據Twitter網友@ShrimpApplePro 的爆料顯示，蘋果新一代的iPhone 14系列所采用的A16處理器仍將繼續采用臺積電的5nm制程，而新一代的為Mac 設計的M2處理器則將直接跳過4nm，采用臺積電的3nm制程，此外蘋果還在開發M1系列芯片的終極版本。據爆料者ShrimpApple...
蘋果A16芯片M2芯片 2022-05-30

5nm剛有起色，iPhone就已將目光放在了3nm上

7月19日消息外媒PhoneArena報道，全球最大的代工合同制造商是臺積電（TSMC），為那些具有自主設計但沒有生產設備的公司生產芯片。用于制造芯片的設備非常復雜且非常昂貴。例如，臺積電計劃今年在資本支出上會付出150億美元，臺積電的主要客戶包括蘋果、高通和華為。今年，臺積電將為蘋果和華...
5nmiPhone3nm 2020-07-20

為了技術競爭中擊敗臺積電：三星芯片直接上3nm

近期，三星增加了這款芯片的產量，因此有理由相信將會運用在三星Galaxy Note20系列身上。三星更新了他們的芯片工藝線路圖，其中三星在芯片工藝上將會跳過4nm制程工藝，直接從5nm制程工藝提升至3nm制程工藝。三星這樣的計劃，主要是為了能夠與行業前列的臺積電進行競爭。 ...
三星3nm5G 2020-07-06

臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術 2021年試產

盡管2020年全球半導體行業會因為疫情導致下滑，但臺積電的業績不降反升，掌握著7nm、5nm先進工藝的他們更受客戶青睞。今天的財報會上，臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情，預定在2022年下半年量產。臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術論壇，正式公布3nm工藝詳情，不過這個技術會議已經延期到8月份，今...
臺積電3nm工藝FinFET晶體管技術 2020-04-17

三星2021年量產3nm 工藝芯片

三星近日在日本舉行的“三星晶圓代工論壇”（SFF）上，公布了其新一代工藝的進展，3nm工藝預計2021年量產。據悉在3nm節點上，三星將從FinFET晶體管轉向GAA環繞柵極晶體管工藝。GAA晶體管，三星稱之為3GAE工藝。基于全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FE...
GAA晶體管3nm 工藝芯片 2019-09-16

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