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應(yīng)用開發(fā)

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基于 GaN 的 FET 如何實(shí)現(xiàn)高性能電機(jī)逆變器

推動更高效的能源利用、更嚴(yán)格的監(jiān)管要求以及冷卻器操作的技術(shù)優(yōu)勢都支持了近減少電動機(jī)功耗的舉措。雖然硅 MOSFET 等開關(guān)技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，但它們通常無法滿足關(guān)鍵逆變器應(yīng)用更苛刻的性能和效率目標(biāo)。相反，設(shè)計(jì)人員可以使用氮化鎵 (GaN) 來實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，氮化鎵是一種寬帶隙 (WBG) FET 器件技術(shù)，...
GaNFET電機(jī)逆變器 2024-05-31

從4個到256個通道，GaN技術(shù)如何創(chuàng)新5G基站系統(tǒng)的緊湊設(shè)計(jì)

電子系統(tǒng)工程師們正在適應(yīng)5G基站設(shè)計(jì)領(lǐng)域的重大變革；包括發(fā)射/接收通道的數(shù)量從4個激增至高達(dá)256個。同時，這些基站的頻率范圍也有所提升，從原先的1GHz擴(kuò)展到現(xiàn)在的3-4GHz，并有望達(dá)到7GHz。隨著更多通道的引入（如上述256個收發(fā)通道這樣的配置），對既高效又具備精確信號能力的功率放大器的需求也愈...
GaN技術(shù)5G基站系統(tǒng) 2024-05-24

如何改善GaN HEMT 功率器件的短路耐受時間

電機(jī)驅(qū)動器運(yùn)行的惡劣環(huán)境可能會因逆變器擊穿和電機(jī)繞組絕緣擊穿等故障情況而導(dǎo)致過流水平。功率器件需要在保護(hù)檢測電路觸發(fā)和關(guān)閉電機(jī)驅(qū)動所需的時間內(nèi)承受這些事件。SC 事件通常具有以下特征：高漏極電壓 (V DS ) 和漏極電流 (I DS )的組合。在這種情況下流動的電流是器件的飽和電流(I DSAT )。電流密...
GaN HEMT 功率器件 2024-05-15

使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優(yōu)化

額定功率75W以下的適配器可細(xì)分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡化轉(zhuǎn)換器方面已經(jīng)取得了長足的進(jìn)步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級。大量的研究和工程工作集中在高...
GaN IC 離線電源電容器 2024-04-28

如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器

作者：Bill Schweber對更高效利用能源的推動、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢，所有這些都為近來降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 MOSFET 等開關(guān)技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，但它們往往無法滿足關(guān)鍵變頻器應(yīng)用對性能和效率的更高要求。氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙 (WBG) FET 器件技術(shù)，...
GaN功率器件電機(jī)變頻器 2024-03-29

采用 GaN 的汽車降壓／反向升壓轉(zhuǎn)換器，可實(shí)現(xiàn)高效 48 V 配電

汽車行業(yè)日益電氣化的趨勢使汽車制造商既能以成本效益向市場提供新的創(chuàng)新，又能滿足日益嚴(yán)格的排放立法。將車輛的主母線電壓提高到48V有助于滿足耗電系統(tǒng)的需求，如輕度混合動力車輛的啟停電機(jī)/發(fā)電機(jī)，以及電動助力轉(zhuǎn)向、電動增壓、真空泵和水泵等負(fù)載。與傳統(tǒng)的12V汽車電源標(biāo)準(zhǔn)相比，48V配電可以在不...
GaN汽車降壓／反向升壓轉(zhuǎn)... 2024-03-08

適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

作者：Kenton Williston激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決...
自主駕駛LiDARGaN FET 2024-02-27

使用GaN器件可以減小外置醫(yī)用AC/DC電源的體積

作者：Bill Schweber盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進(jìn)步，但對于許多應(yīng)用來說，完全不依賴純電池設(shè)計(jì)可能是不可行、不適用和無法接受的。醫(yī)療系統(tǒng)就屬于這類應(yīng)用。相反，設(shè)備通常必須直接通過 AC 線路運(yùn)行，或至少在電池電量不足時連接 AC 插座即可運(yùn)行。除了滿足基本的 AC/DC 電源性能規(guī)范外，醫(yī)用...
AC／DC電源GaN器件 2024-01-22

低功耗 GaN 在常見交流／直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢

消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C® 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設(shè)備充電。在設(shè)計(jì)現(xiàn)代消費(fèi)級 USB Type-C 移動充電器、PC 電源和電視電源時，面臨的挑戰(zhàn)是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持...
GaN寬帶隙技術(shù)電源適配器交流／直流電源拓?fù)?/a> 2024-01-17

基于 GaN 的高效率 1．6kW CrM 圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì) TIDA－00961 FAQ

作者：Aki Li, Rayna Wang高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正...
GaN圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì) 2024-01-11

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