前往首頁 聯(lián)系我們 網(wǎng)站地圖
iDEAL Semiconductor 確認，其超高效 SuperQ™ 硅功率器件現(xiàn)已在 Polar Semiconductor 投產(chǎn)，后者是一家專注于高壓、功率和傳感器技術的領先代工廠。 SuperQ 代表了硅 MOSFET 架構(gòu)在超過25年來的首次重大創(chuàng)新。它利用專利的不對稱 RESURF 結(jié)構(gòu)，大幅降低了導通和開關損耗 – 與傳統(tǒng)硅... （來源：新聞頻道）
iDEAL SemiconductorPolar Semiconductor 2025-9-19 11:30
9月17日，中國能源研究會、全球太陽能理事會與華為數(shù)字能源聯(lián)合主辦全球低碳產(chǎn)業(yè)論壇，主題為"全場景構(gòu)網(wǎng)技術，加速以風光為主的新能源成為主力電源"。華為數(shù)字能源攜手來自政府能源部門、電網(wǎng)公司、能源企業(yè)、組織協(xié)會的代表們，共同發(fā)起全場景構(gòu)網(wǎng)倡議。倡議旨于通過推動全場景構(gòu)網(wǎng)技術在全... （來源：新聞頻道）
新能源 2025-9-19 09:22
新能源 2025-9-18 15:24
TDK株式會社（東京證券交易所代碼：6762）針對消費電子電源中的功率因數(shù)校正 (PFC) 階段應用專門推出B3270xP系列超小型金屬化聚丙烯 (MKP) 薄膜電容器。憑借緊湊的設計及自愈特性，該系列電容器非常適用于筆記本電腦、游戲主機等設備中的適配器及電源模塊。小型化封裝能有效滿足高密度電路設計對于節(jié)省... （來源：新品頻道）
TDKPFC電容器 2025-9-10 15:22
Abracon提供多種一體成型功率電感，產(chǎn)品涵蓋各種尺寸和性能特性，以滿足廣泛的應用。通過采用專用金屬合金粉末材料，以及先進的熱壓、扁平線工藝，我們帶來了高性能、高可靠性的解決方案。 全新AMELH系列基于上述先進材料與制造工藝打造，具備卓越性能，包括業(yè)界領先的DCR和極低的交流磁芯損耗，是新... （來源：新品頻道）
Abracon電感 2025-8-28 11:28
D類音頻功率放大器以其高效性得到廣泛使用，主導了現(xiàn)代音頻領域。然而也有其局限性，當前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。 傳統(tǒng)的D類功放芯片是功率管采用于硅基晶體管（特別是MOSFET）。它們在實現(xiàn)D類放大器所需的快速開關速度和低導通電阻方面存在困難。隨著對更高頻率和電壓的... （來源：技術文章頻道）
ACM8816 單聲道數(shù)氮化鎵音頻功率放大器 2025-7-25 13:14
Nexperia今日宣布，在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J和PSC20120L專為滿足工業(yè)應用中對超低功耗整流器的需求而設計，可在高能效能量轉(zhuǎn)換場景中發(fā)揮關鍵作用。這類器件尤其適用于高功率人工智能(AI)服務器基礎設施和電信設備電源及太陽能逆變... （來源：新品頻道）
Nexperia肖特基二極管SiCPSC20120J 2025-7-11 15:36
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，與中國知名OEM廠商奇瑞汽車股份有限公司（以下簡稱“奇瑞”）于2025年6月5日在奇瑞總部共同舉辦的“奇瑞-羅姆供應鏈技術共創(chuàng)交流日”圓滿落幕。奇瑞汽車股份有限公司執(zhí)行副總裁 高新華博士、羅姆高級執(zhí)行官 阪井 正樹等多... （來源：新聞頻道）
奇瑞羅姆汽車電子 2025-7-8 16:03
基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產(chǎn)品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務器電源（包括新型... （來源：新品頻道）
瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應用的系統(tǒng)效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產(chǎn)品組合，在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電... （來源：新品頻道）
英飛凌 導通電阻 CoolSiC MOSFET 汽車 工業(yè) 2025-7-1 11:20
中電網(wǎng) 中國電子行業(yè)研發(fā)工程師一站式服務平臺
關于中電網(wǎng) 廣告招商 聯(lián)系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網(wǎng)導航 手機中電網(wǎng) 中電網(wǎng)官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網(wǎng) 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網(wǎng)安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到336條【功率電子】相關的全部。
新能源 2025-9-19 09:22
新能源 2025-9-18 15:24
查看關鍵詞的分類頻道
中電網(wǎng)官方微博