ST公司的MASTERGAN1是650V增強模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,先進的功率系統級封裝,集成了柵極驅動器和兩個半橋配置的增強模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源極擊穿電壓,而嵌入高邊柵極驅動很容易由集成的自舉二極管供電. MASTERGAN1對低和高驅動部分具有UVLO保護,以防止功率... （來源：解決方案頻道）
電源管理氮化鎵高遷移率晶體管(GaN HEMT)開關電源DC／DC轉換器 ST MASTERGAN1 2020-10-21 15:30
Infineon公司的IGT40R070D1 E8220是400V Cool增強模式氮化鎵高遷移率晶體管(GaN HEMT).該器件通過在體二極管的零反向恢復電荷和非常小的線性輸入和輸出電容,克服了技術阻擋層如線性和功率損耗.CoolGaN™由于具有低/線性Coss,零Qrr和常開開關,理想的D類音頻放大器提供0%失真和100%效率.D類放大器線... （來源：解決方案頻道）
D類放大器GaN HEMTInfineon IGT40R070D1 E8220 2020-9-15 14:42
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![[原創]ST MASTERGAN1 650V氮化鎵(GaN)晶體管半橋驅動方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202010/sm_20201021153024.jpg)
![[原創]Infineon IGT40R070D1 E8220 400V GaN D類放大器解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202009/sm_20200915144240.jpg)
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