全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)將為Rivian的R2平臺提供適用于牽引逆變器的功率模塊。R2平臺將使用英飛凌HybridPACK™ Drive G2產品系列的碳化硅(SiC)和硅(Si)模塊。英飛凌預計將從2026年開始供貨。此外,英飛凌還將為該平臺提... (來源:新品頻道)
英飛凌Rivian逆變器電動汽車 2025-6-11 09:24
作者:陳子穎,鄭姿清 隨著功率半導體IGBT,SiC MOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A,可驅動中功率IGBT,包括Easy系列模塊。目標10kW+應用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器... (來源:技術文章頻道)
驅動電路設計 自舉電源 CoolMOS 2025-4-2 14:02
隨著2025年的到來,全球科技產業正邁向AI賦能和數智化的全新階段。數智化不僅推動了傳統行業的智能化升級,也為新興產業的發展提供了強大動力。與此同時,本土化產業升級成為各國科技發展的關鍵戰略,尤其是在半導體、新能源汽車、數據中心等關鍵領域。泰克科技作為全球領先的測試與測量解決方案提供商... (來源:新聞頻道)
泰克人工智能 2025-2-7 15:03
作者:陳子穎 前言 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。 ... (來源:技術文章頻道)
功率半導體器件PCB設計 2025-2-6 13:05
作者:陳子穎,來源:英飛凌工業半導體 前言 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關... (來源:技術文章頻道)
英飛凌功率半導體熱設計 2025-1-22 14:00
作者:陳子穎,來源:英飛凌工業半導體前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測... (來源:技術文章頻道)
功率器件 熱設計 英飛凌 2024-12-31 10:52
作者:陳子穎前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有... (來源:技術文章頻道)
功率器件 熱設計半導體模塊 2024-12-19 13:46
作者:楊勇前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等... (來源:技術文章頻道)
功率器件 熱設計 二極管 浪涌電流 2024-12-16 14:25
前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實際,比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫... (來源:技術文章頻道)
功率器件 IGBT 英飛凌 2024-12-4 10:36
作者:陳子穎前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。確定熱阻抗曲線測... (來源:技術文章頻道)
功率器件 英飛凌 IGBT 2024-12-4 10:19