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功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT和二極管。傳統Si器件已逼近材料極限，成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。SiC器件憑借更高開關速度、高結溫下同時承受高壓大電流等特性，可顯著提升轉換效率、功率密度并降低系統成本，特別適... （來源：技術文章頻道）
車載電驅RIGOL功率半導體 2025-7-31 10:20
火力全開，直“充”巔峰 圖片來源：鎵未來微信公眾號 還在為激烈的團戰突然電量不足而懊惱？還在忍受傳統筆記本電源適配器的笨重束縛？鎵未來攜手聯想打造的拯救者 245W 氮化鎵充電器橫空出世，讓你徹底擺脫線纜的沉重牽絆，火力全開，直“充”巔峰！ 這款明星產品之... （來源：新聞頻道）
氮化鎵充電器 2025-7-11 11:13
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統可靠性并降低系統成本。 應用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢... （來源：新品頻道）
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
作者：陳子穎，鄭姿清；來源：英飛凌工業半導體驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將以雜談的形式講述技術背景，然后詳細講解如何正確理解和應用驅動器... （來源：技術文章頻道）
電路設計 米勒鉗位 英飛凌 2025-4-15 11:00
作者：陳子穎，鄭姿清 隨著功率半導體IGBT，SiC MOSFET技術的發展和系統設計的優化，電平位移驅動電路應用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A，可驅動中功率IGBT，包括Easy系列模塊。目標10kW+應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器... （來源：技術文章頻道）
驅動電路設計 自舉電源 CoolMOS 2025-4-2 14:02
作者：陳子穎，鄭姿清；驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章講詳細講解如何正確理解和應用這些功能。自舉電路在電平位移驅動電路應用很廣泛，電路非常簡... （來源：技術文章頻道）
驅動電路設計 驅動器 自舉電源 2025-3-21 10:52
作者：陳子穎 鄭姿清 驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章講詳細講解如何正確理解和應用這些功能。 驅動電路有兩類，隔離型的驅動電路和電平位移驅... （來源：技術文章頻道）
驅動電路設計 驅動器 自舉電源 英飛凌 2025-3-6 10:40
作者：陳子穎 工業應用中，功率半導體的驅動電源功率不大，設計看似簡單，但要設計出簡單低成本的電路并不容易，主要難點有幾點： 1. 電路要求簡潔，占用線路板面積要小 一個EasyPACK™ 2B 1200V 100A六單元IGBT模塊，周長20cm，占板面積27cm²，很小，在四周要安排布置6路驅動和4-6... （來源：技術文章頻道）
功率半導體驅動電源設計 2025-2-19 10:25
作者：陳子穎 鄭姿清 驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將詳細講解如何正確理解和應用這些驅動器的功能。 每一個功率開關都需要一個驅動器，功率... （來源：技術文章頻道）
驅動電路設計功率半導體應用 2025-2-13 13:17
本文作者：Bob Card，安森美營銷經理硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。與硅基... （來源：技術文章頻道）
柵極驅動器 SiC MOSFET 2025-1-3 14:02
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