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富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off),相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件,品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半?;诟皇客ò雽?dǎo)體的GaN功率器件,用... (來源:新品頻道)
富士通半導(dǎo)體耐壓150VGaN功率器件MB51T008A 2013-7-23 17:11
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