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國務院最新發布《關于深入實施 “人工智能 +” 行動的意見》，明確 AI 將推動千行百業智能化升級，半導體行業需加速算力、存儲、網絡、電源等核心要素進階 ——Chiplet 先進封裝成算力增長關鍵，AI 數據中心設計為復雜系統級工程，EDA 工具需從單芯片設計轉向封裝級、系統級協同優... （來源：新聞頻道）
EDAAI數據中心單芯片設計 2025-10-17 10:18
近日，國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺（簡稱"國創中心"）在氮化鎵/碳化硅集成領域取得重大技術突破，成功研制出商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延。這一突破性成果標志著我國在第三代半導體材料領域取得重要進展，為相關產業鏈上市公司帶來新的... （來源：新聞頻道）
第三代半導體氮化稼碳化硅 2025-10-16 11:02
納微半導體(NVTS.US)宣布在研發先進的800伏直流(800 VDC)氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件方面取得進展，以支持英偉達(NVIDIA)最新發布的用于下一代人工智能(AI)計算平臺的800高壓直流(HVDC)架構。受此消息提振，納微半導體周一美股收漲21.14%，盤后再漲超30%。 數據顯示，納微半導體股價在過去六個... （來源：新聞頻道）
功率器件氮化稼碳化硅 2025-10-16 11:00
——專訪安森美高級現場應用工程師陳熙 在AI技術飛速發展的當下，數據中心作為算力樞紐，正面臨著日益嚴峻的能耗挑戰。為深入了解行業應對之策，中電網特別專訪了安森美高級現場應用工程師陳熙，圍繞AI數據中心的能耗困境、安森美的技術解決方案、供應鏈保障及未來研發方向展開深入探討。... （來源：新聞頻道）
AI 數據中心硅溝槽功率 MOSFETSiC MOSFET 2025-10-16 09:28
● 英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產品的客戶提供第二供應商支持 ● 未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性 ● 此類產品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數據中心等應用... （來源：新聞頻道）
SiC功率器件儲能系統充電器 2025-10-15 15:06
—— 該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發800VDC供電架構；新發布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術相較于650V GaN和1200V SiC的優勢 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations近日發布一份新的技術白皮書，詳解其PowiGaN™氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶... （來源：新聞頻道）
數據中心PowiGaN技術SiC 2025-10-15 13:07
當地時間10月13日，2025年OCP（Open Compute Project）全球高峰會在美國加州圣荷西正式召開，聚焦AI數據中心的開放架構、永續設計與高效計算。本次OCP峰會聚焦開放協作與標準化，旨在推動更統一、更高效率的全球數據中心架構，讓業界能以開放生態的方式應對AI 時代的計算與能源挑戰。作為全球AI芯片龍頭... （來源：新聞頻道）
英偉達AIOCP人工智能 2025-10-15 10:03
當地時間10月13日，2025年OCP（Open Compute Project）全球高峰會在美國加州圣荷西正式召開，聚焦AI數據中心的開放架構、永續設計與高效計算。本次OCP峰會聚焦開放協作與標準化，旨在推動更統一、更高效率的全球數據中心架構，讓業界能以開放生態的方式應對AI 時代的計算與能源挑戰。 需要指出的是，... （來源：新聞頻道）
OCP峰會AMDArm英偉達 2025-10-15 09:30
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流電源架構的高效電源轉換和分配，推動下一代更智能、更快速的人工智能（AI）基礎設施發展。 隨著GPU驅動的AI工作負載日益密集，數據中心功耗攀升至數百兆瓦級別，現代數據中心亟需兼具能效優化與可擴展性的電源架構... （來源：新品頻道）
瑞薩電子功率半導體數據中心AI 2025-10-15 09:17
當地時間10月13日，人工智能技術大廠OpenAI和芯片設計大廠博通宣布達成合作，雙方共同開發10吉瓦（GW）規模的數據中心所需的定制AI加速器。OpenAI將設計這些加速器和系統，并與博通合作開發和部署。 OpenAI表示，通過自主設計AI芯片和系統，OpenAI可以將其在開發前沿模型和產品過程中積累的經驗直接... （來源：新聞頻道）
OpenAI博通AI 2025-10-14 13:33
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