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6月27日,思銳智能半導(dǎo)體先進(jìn)裝備研發(fā)制造中心落成投產(chǎn)儀式在青島自貿(mào)片區(qū)隆重舉行,該中心的投產(chǎn)填補(bǔ)了青島在半導(dǎo)體核心裝備領(lǐng)域的空白。其中,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍人物張汝京,歐洲科學(xué)院院士、北京超弦存儲(chǔ)器研究院執(zhí)行院長(zhǎng)趙超,思銳智能董事長(zhǎng)聶翔等出席活動(dòng),見證這一歷史性時(shí)刻。 該項(xiàng)目從建設(shè)... (來源:新聞?lì)l道)
思銳智能半導(dǎo)體 2025-7-2 14:15
原子層沉積(ALD)工藝被認(rèn)為是邏輯和存儲(chǔ)半導(dǎo)體器件微縮化的重要推動(dòng)力。過去20年,ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲(chǔ)器件的大批量制造,不斷推動(dòng)諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、先進(jìn)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進(jìn)與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩,ALD工藝逐漸滲透... (來源:新聞?lì)l道)
SRIIALD新品泛半導(dǎo)體 2022-1-26 17:02
功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場(chǎng)景。例如,傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展,占據(jù)了絕對(duì)領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。不過,隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起,擁有更高耐壓等級(jí)、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三... (來源:新聞?lì)l道)
SRIICICD 2021ALD技術(shù)半導(dǎo)體 2021-11-10 11:03
隨著蘋果公司正式推出140W氮化鎵(GaN)快充,以智能手機(jī)、筆記本電腦為代表的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)迎來了又一標(biāo)桿性產(chǎn)品的重要拐點(diǎn)。近兩年來,全球GaN充電器的出貨量已經(jīng)突破了數(shù)千萬只。然而,這僅僅只是開端。 Yole Développement的最新調(diào)研報(bào)告顯示,預(yù)計(jì)2026年全球GaN功率器件的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到11億美元... (來源:新聞?lì)l道)
GaNSRII思銳智能 2021-11-1 15:03
光學(xué)薄膜的應(yīng)用十分廣泛,從精密的光學(xué)儀器到光纖通訊、顯示器、數(shù)碼相機(jī),乃至鈔票上的防偽技術(shù),均不乏其身影。一般而言,光學(xué)薄膜是指在光學(xué)玻璃、光纖、晶體等各種材料的表面上鍍制一層或多層薄膜,并利用薄膜內(nèi)光的干涉效應(yīng)來改變透射光或反射光的強(qiáng)度、偏振狀態(tài)和相位變化的光學(xué)元件;而制備的過... (來源:新聞?lì)l道)
思銳智能BeneqCIOE2021 2021-10-11 10:27
隨著各類鏡頭、顯示設(shè)備、生物識(shí)別技術(shù)產(chǎn)品、5G通訊技術(shù)和終端設(shè)備,以及最近備受關(guān)注的未來“元宇宙”重要場(chǎng)景入口設(shè)備的AR/VR等消費(fèi)類終端的創(chuàng)新發(fā)展,對(duì)光學(xué)鍍膜設(shè)備的技術(shù)工藝以及性價(jià)比要求也越來越高。 在最近落下帷幕的第23屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱CIOE2021)上,業(yè)界領(lǐng)先的ALD設(shè)備制... (來源:新聞?lì)l道)
鏡頭顯示設(shè)備生物識(shí)別ALD 光學(xué)鍍膜 2021-9-26 14:03
隨著各類鏡頭、顯示設(shè)備、生物識(shí)別技術(shù)產(chǎn)品、5G通訊技術(shù)和終端設(shè)備,以及最近備受關(guān)注的未來“元宇宙”重要場(chǎng)景入口設(shè)備的AR/VR等消費(fèi)類終端的創(chuàng)新發(fā)展,對(duì)光學(xué)鍍膜設(shè)備的技術(shù)工藝以及性價(jià)比要求也越來越高。在最近落下帷幕的第23屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱CIOE2021)上,業(yè)界領(lǐng)先的ALD設(shè)備制造商... (來源:技術(shù)文章頻道)
生物識(shí)別技術(shù) ALD光學(xué)鍍膜應(yīng)用 G通訊技術(shù) 顯示設(shè)備 2021-9-26 11:15
隨著中國(guó)“十四五”規(guī)劃的提出、以及全球科技產(chǎn)業(yè)對(duì)于“碳達(dá)峰、碳中和”的目標(biāo)達(dá)成共識(shí),以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體新材料憑借高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異特性,成為了支撐5G基建、新能源產(chǎn)業(yè)、特高壓、軌道交通等領(lǐng)域的核心技術(shù)。數(shù)據(jù)表明... (來源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅(SiC)第三代半導(dǎo)體新材料GaN功率器件 2021-9-1 11:31
沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的4大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設(shè)中,約80%的投資用于購(gòu)買設(shè)備,薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約25%的比重。業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)和化學(xué)式真空鍍膜(CVD)等。其中ALD屬于CVD的一種,是當(dāng)下... (來源:技術(shù)文章頻道)
薄膜沉積設(shè)備 ALD積淀 薄膜沉積工藝 2021-6-3 13:45
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