在本系列第九篇文章中,我們介紹了用于構(gòu)成傳統(tǒng)封裝的相關(guān)材料。本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項材料,從光刻膠中的樹脂,到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑,這些材料均在晶圓級封裝中發(fā)揮著重要作用。作為本系列的倒數(shù)第二篇文章,將對此進行深入探討。光刻膠(Photoresists, PR)由感光劑... (來源:技術(shù)文章頻道)
半導體封裝 晶圓級封裝 2024-8-9 11:05
隨著中國“十四五”規(guī)劃的提出、以及全球科技產(chǎn)業(yè)對于“碳達峰、碳中和”的目標達成共識,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體新材料憑借高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等優(yōu)異特性,成為了支撐5G基建、新能源產(chǎn)業(yè)、特高壓、軌道交通等領(lǐng)域的核心技術(shù)。數(shù)據(jù)表明... (來源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅(SiC)第三代半導體新材料GaN功率器件 2021-9-1 11:31
沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的4大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設中,約80%的投資用于購買設備,薄膜沉積設備更是占據(jù)其中約25%的比重。業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)和化學式真空鍍膜(CVD)等。其中ALD屬于CVD的一種,是當下... (來源:技術(shù)文章頻道)
薄膜沉積設備 ALD積淀 薄膜沉積工藝 2021-6-3 13:45