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NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵(以下簡稱“GaN”)功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計(jì)策略概要,本文將為大家重點(diǎn)說明利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。 本設(shè)計(jì)文檔其余部分... (來源:技術(shù)文章頻道)
氮化鎵 GaN PCB設(shè)計(jì) 柵極驅(qū)動器 2023-2-23 14:25
作者:Jeff Shepard高功率因數(shù) (PF) 和高效率是服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)、5G電信、工業(yè)系統(tǒng)、電動汽車和其他一系列應(yīng)用中所用 AC-DC 電源的關(guān)鍵要求。然而,電源設(shè)計(jì)者面臨的挑戰(zhàn)是如何同時(shí)滿足 IEC 61000-3-2 等標(biāo)準(zhǔn)的 PF 和電磁兼容性 (EMC) 要求,以及能源之星最新的 80 PLUS Titanium 效率標(biāo)準(zhǔn)。后者要求在 10... (來源:技術(shù)文章頻道)
無橋圖騰柱 功率因數(shù) 2022-11-4 11:35
On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅(qū)動器,設(shè)計(jì)以滿足驅(qū)動離線模式,半橋功率拓?fù)涞脑鰪?qiáng)模式晶體管,高電子遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),氮化鎵(GaN)功率開關(guān)的嚴(yán)格要求.NCP51820具有短和匹配的傳輸時(shí)延和先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)移技術(shù),提供-3.5V到+650V共模電壓范圍,以用于高邊驅(qū)動和-3.5V到+3.5V共模電... (來源:解決方案頻道)
電源管理GaNAC/DC轉(zhuǎn)換器 On SemiNCP51820NCP13992 2021-8-24 13:36
On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅(qū)動器,設(shè)計(jì)滿足驅(qū)動增強(qiáng)模式(e−mode)高遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),以及離線半橋功率拓?fù)涞牡塆aN功率開關(guān)嚴(yán)格要求. NCP51820提供先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)移技術(shù),具有短匹配傳播延遲,高邊驅(qū)動時(shí)共模電壓范圍−3.5 V 到 +650 V,低邊驅(qū)動時(shí)共模電壓范圍... (來源:解決方案頻道)
電源管理 GaN功率開關(guān)柵極驅(qū)動器 On Semi NCP51820 2021-7-13 14:17
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),推出業(yè)界首款專用臨界導(dǎo)通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器,是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。 在傳統(tǒng)的PFC電路中,整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W,占總損耗的20%左右。相比之下,PFC級的能效通常為97%,... (來源:新品頻道)
安森美半導(dǎo)體離線電源NCP1680 CrM PFC控制器 2021-6-23 11:15
2021年6月16日,致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案。 圖示1-大聯(lián)大世平推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案的展示板圖 ... (來源:技術(shù)文章頻道)
ON Semiconductor產(chǎn)品小型工業(yè)電源供應(yīng)器 2021-6-16 13:42
GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商GaN Systems與安森美半導(dǎo)體(OnSemi)合作宣布推出全新100V高速半橋評估板(GS-EVB-HB-61008P-ON)。該產(chǎn)品專為現(xiàn)有和全新的PCB設(shè)計(jì)而開發(fā),使電力電子設(shè)計(jì)人員能夠輕松評估GaN以應(yīng)對不斷增長的48V市場應(yīng)用,包括非隔離降壓轉(zhuǎn)換器,非隔離升壓轉(zhuǎn)換器,以及半橋和全橋轉(zhuǎn)換... (來源:新品頻道)
GaN Systems 安森美 GaN 2020-12-7 16:28
GaN有許多性能優(yōu)勢,包括遠(yuǎn)高于硅的電子遷移率(3.4eV對比1.1eV),這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注意的是,GaN的門極電荷(QG)較低,并且由于必須在每個(gè)開關(guān)周期內(nèi)對其進(jìn)行補(bǔ)充,因此GaN能夠以高達(dá)1 MHz的頻率工作,效率不會降低,而硅則難以達(dá)到100 kHz以上。此外,與硅不同,GaN沒... (來源:技術(shù)文章頻道)
GaN電源設(shè)計(jì)電壓 2020-3-23 15:15
專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。此高速子板結(jié)合了GaN Systems的兩個(gè)650 V氮化鎵 (GaN) E-HEMT和安森美半導(dǎo)體的NCP51820柵極驅(qū)動器,可為現(xiàn)有或新的離線電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)提供高性價(jià)比半橋解決方案。... (來源:新品頻道)
貿(mào)澤電子SystemsGS-EVB-HB-66508B-ON1評估板 2020-3-16 16:10
作者:安森美半導(dǎo)體策略營銷總監(jiān)Yong Ang 在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。 對于新技術(shù)而言,GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)(硅)成本低。GaN器件與... (來源:技術(shù)文章頻道)
氮化鎵電源設(shè)計(jì)寬禁帶技術(shù) 2020-3-16 09:41
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