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日前，全球首顆采用嵌入式RRAM（Resistive Random Access Memory，阻變存儲器）存儲技術AMOLED顯示驅動芯片完成開發和認證。該新型嵌入式RRAM顯示驅動芯片由存儲器設計公司?？莆㈦娮覽1]提供技術支持，由北方華創提供刻蝕和薄膜設備及工藝解決方案。[1]合肥?？莆㈦娮佑邢薰荆瑢Ｗ⒂谛滦痛鎯ζ黝I域的... （來源：新聞頻道）
北方華創?？莆?/a>嵌入式RRAM顯示驅動芯片 2024-8-28 08:50
實際的應用中，RRAM的激勵源是脈沖信號。因此，脈沖測試的優化對RRAM器件來說更為重要。一個典型的RRAM器件的脈沖循環測試如圖所示，執行完一次SET脈沖操作，進行一次讀脈沖驗證；再執行一次RESET脈沖操作，再進行一次讀脈沖驗證。常規的SET脈沖和RESET脈沖信號都是簡單的矩形波，但是往往得不到... （來源：電子百科頻道）
RRAM 2017-9-12 13:47
RRAM的器件性能與電學操作方法有關，即與器件的forming、SET、RESET過程中具體外加電壓／電流信號的方式有關。在RRAM器件的研究工作中，通常使用直流電壓掃描方式(VSM)來對器件單元進行基本的操作，獲取器件的電阻轉變參數。這種方法的優點是操作簡單，而且比較直觀。然而在采用直流電壓掃描的方... （來源：電子百科頻道）
PRAM器件限流器 2016-10-13 13:53
電化學金屬化(electrochemical metallization)機制，簡寫成ECM模型。這種模型主要是針對固態電解液基RRAM提出的，這類RRAM器件需要特殊的上、下電極材料，通常一端為電化學活性電極(如Ag、Cu和Ni等)，另一端為輔助電極，通常由電化學惰性金屬材料(Pt、W和IrO等)構成。該類RRAM的電阻轉變現象... （來源：電子百科頻道）
電化學金屬化機制RRAM器件ECM器件 2016-8-4 10:12
相比于有源結構單元，由于具有最小的單元面積4F2，無源交叉陣列結構被認為是存儲器最經濟的集成方式。在交叉陣列結構中，通過相互交叉的字線和位線構成的上下電極來實現存儲單元的選擇。無源交叉陣列結構的RRAM制備工藝簡單，能夠有效地提高器件良率，降低成本。采用無源交叉陣列集成可以將單元面... （來源：電子百科頻道）
無源陣列有源結構交叉陣列 2016-6-15 10:51
什么是憶阻器？ 憶阻器 憶阻器的英文 Memristor 來自「Memory（記憶）」和「Resistor（電阻）」兩個字的合并，從這兩個字可以大致推敲出它的功用來。最早提出憶阻器概念的人，是華裔的科學家蔡少棠，當時任教于美國的柏克萊大學。時間是 1971 年，在研究電荷、電流、電壓和磁通量之間的關系時，蔡教... （來源：電子百科頻道）
憶阻器存儲器 2011-10-13 16:44
7月26日訊,Micron公司推出首個128Mb 突發CellularRAM器件MT45W8MW16BGX-706WT,它是當今市場上可用的一個128Mb突發模式假靜態RAM(PSRAM).它采用Micron的革命性6F2 陣列結構技術生產的另一種存儲器結構. Micron的128Mb突發CellularRAM器件目標應用在移動手持設備,能增加其性能.用來生產這種器件的單元結... （來源：新品頻道）
存儲器 2004-8-9 15:33
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