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至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷經(jīng)了三個(gè)階段,分別是20世紀(jì)50年代誕生的以硅(Si)為代表的第一代半導(dǎo)體材料,及以80年代誕生的砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體材料,和如今以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶為代表的第三代半導(dǎo)體材料,且愈來愈被受到高度的重視。以碳化硅(SiC)為例,憑借其禁帶寬度... (來源:新聞?lì)l道)
羅姆SiC功率元器件市場 碳化硅(SiC) SiC分立器件 2019-7-9 15:52
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