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↓在新聞中搜索到 269 條關于“FinFET??”的信息，用時:0.002 sec.

芯片代工決戰先進制程，臺積電2納米為何一馬當先？

近日，有消息稱，臺積電在2納米先進制程研發上取得重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around,簡稱GAA)技術。利用成熟的特色工藝追求更先進的制程，一直是臺積電和三星等芯片廠商致力的方向。此前，三星表示將在3納米率先導入GAA技術，表達了其取得全球芯片代工龍頭地位的野心...
臺積電芯片 2020-07-20

環繞閘極技術讓臺積電2nm越來越近

臺積電沖刺先進制程，在2納米研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入GAA（環繞閘極）技術，為臺積電發展鰭式場效電晶體（FinFET）取得全球絕對領先地位之后，邁向另一全新的技術節點。盡管勁敵三星已早一步切入GAA，臺積電仍有信心以2納米切入GAA技術，在全球晶圓代工市場持續維持絕對領先地位。這...
臺積電2nm 2020-07-14

新思科技推出業界首款完整的USB4 IP解決方案

-成功流片的5nm DesignWare USB4 PHY測試芯片可以降低支持40Gbps USB規格的SOC開發風險，加快芯片上市時間。重點： • 由控制器、路由器、PHY和驗證IP組成的DesignWare USB4 IP解決方案支持USB4規范中的所有功能• 通過C型USB連接器和數據線，支持USB4、具有HDCP 2.3安全協議的DisplayPort、...
新思科技USB4 IP解決方案 2020-06-16

中芯國際代工麒麟710A：14nm、已量產

此前業內盛傳，因為眾所周知的原因，華為已經開始將訂單從臺積電分散，其中麒麟710A開始轉向中芯國際的14nm。根據之前的信息，麒麟710系列原本是臺積電12nm代工，但榮耀Play 4T使用的麒麟710A則是中芯國際14nm生產。不過，對此消息，華為、臺積電都沒有正面回應。但據《科創板日報》報道，5月9日，中芯...
中芯國際麒麟710A 2020-05-13

新思科技推出業界首款用于新一代網絡和通信系統的以太網800G驗證IP核

-新款原生System Verilog以太網驗證IP核完善了對新思科技112G高速SerDes PHY IP核的驗證，更有力支撐高性能云計算方案新思科技（Synopsys, Inc. , 納斯達克股票代碼：SNPS）近日推出業界首款以太網800G驗證IP 核(VIP)以及通用驗證方法(UVM)源代碼測試套件。隨著視頻點播、社交網絡和云服務對超帶寬需求...
新思科技以太網VC VIP 2020-04-16

逆風飛揚中芯國際大幅上調Q1營收指引

4月7日——Q1季度本來是電子行業的淡季，再加上新冠病毒的影響，國內外整體需求都在下滑，很多公司都會錄得負增長。中芯國際今天突然發布了一個好消息，宣布大幅上調Q1季度營收指引。在之前的Q4季度財報會議中，中芯國際預測Q1季度營收增長0-2%，在淡季中保持增長已屬不易。不過他們的實際情況要比預...
中芯國際Q4財報電子行業 2020-04-08

SSD主控催化劑：STT－MRAM自旋磁阻內存升級GF 12nm工藝

GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻內存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美S...
GF 12nm工藝MRAM芯片 2020-03-16

5nn重奪領導地位 Intel將在2023年推出5nm GAA工藝

Intel之前已經宣布在2021年推出7nm工藝，首發產品是數據中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因為Intel在這個節點會放棄FinFET晶體管轉向GAA晶體管。隨著制程工藝的升級，晶體管的制作也面臨著困難，Intel最早在22nm節點上首發了FinFET工藝，當時叫做3D晶體管，就是將原本平面...
GAA晶體管5nm GAA工藝 2020-03-11

新思科技提供運行速度達3．2 Gbps且經驗證的HBM2E PHY IP核

-基于臺積公司7納米工藝的DesignWare HBM2E PHY IP核為高級圖形、高性能計算和網絡芯片提供高吞吐量重點：基于臺積公司7納米工藝的DesignWare HBM2E IP核提供高達409 GBps的聚合內存帶寬，具有低功耗和低延遲特點。采用2.5D封裝的HBM2E PHY已通過臺積公司CoWoS®技術驗證，集成了測試芯片與IP核和HB...
新思科技HBM2E PHY IP核 2020-03-03

格芯推出基于22FDX平臺且可批量生產的eMRAM

格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產流片。此次公告是一個重要的行業里程碑，表明eMRAM可在物聯網(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應用中作為先進工藝節點的高性價比選擇。格...
格芯22FDX平臺 2020-03-02

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