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↓在新聞中搜索到 269 條關于“FinFET??”的信息，用時:0.004 sec.

智原科技將參與ICCAD 2023 展示FinFET SoC開發平臺與高速網絡接口方案

ASIC設計服務暨IP研發銷售領導廠商智原科技(Faraday Technology Corporation，TWSE：3035) 將于11月10日至11月11日參加在廣州舉行的ICCAD 2023 (中國集成電路設計業年會)，現場將展示14納米SoCreative!VI™ A600 SoC開發平臺、低功耗抗躁千兆Ethernet物理層PHY，并于演講中介紹智原可整合來自多渠...
智原科技ICCAD 2023 2023-11-09

新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程，助力加速射頻芯片設計

摘要：• 全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設計解決方案。• 業界領先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統的性能和功耗效率。• 集成的設計流程提升了開發者的生產率，提高了仿真精度，并加快產品的上市時間。新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達克股票代...
新思科技是德科技Ansys射頻芯片設計 2023-10-31

新思科技與GF合作為12LP＋FinFET解決方案開發DesignWare IP產品組合

· 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 · 兩家公司之間的長期合作已成功實現了DesignWare IP核從180納米...
DesignWare IPGF新思科技 2020-10-21

新思科技Design Compiler NXT獲三星Foundry認證，用于5／4納米FinFET工藝技術

· 通過采用Design Compiler NXT可以使得報告運行時間大大減少，同時PPA有所提高。 · 時鐘與數據同步優化技術等新優化技術有利于于在高級節點上實現PPA目標 · 受益于Design Complier NXT, 三星Foundry客戶在認證過程中提供8%至10% PPA提高以及2倍的吞吐量新思科技(Synopsys, Inc....
新思科技Design Compiler NXT三星 2020-07-22

中芯國際概述N+1節點投產計劃較14nm工藝更具成本優勢

資料圖（來自：SMIC）去年，中芯國際表示將在四季度開啟基于 14nm FinFET 制程的量產芯片。同時，該公司也在努力開發下一代主要節點（N+1），宣稱具有可媲美 7nm 工藝的部分特性。與中芯國際自家的 14nm 制程相比，N+1 可在性能提升 20% 的同時降低 57% 的功耗、并將邏輯面積減少了 63% 。但實際上，...
中芯國際14nm FinFET 制程 2020-03-24

中芯國際14納米級芯片提前一年實現量產為“中國芯”崛起貢獻浦東力量

新年伊始，位于浦東張江哈雷路上的中芯南方集成電路制造有限公司（中芯南方廠）內，一顆顆芯片正“新鮮出爐”，“新”在于芯片生產線是國內首條14納米生產線。該工廠也是目前中國大陸芯片制造領域的最強者中芯國際最先進的生產基地。記者了解到，在去年三季度，該工廠第一代14納米FinFET工藝已成功量產...
14納米FinFET工藝中國芯 2020-01-16

新思科技和臺積合作在其5奈米 FinFET 強化版N5P制程技術上開發DesignWare IP核產品組合

-接口和基礎IP核支持在臺積公司N5P工藝上開發下一波低功耗移動和高性能云計算芯片重點：臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術上開發的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺積公司N5P工藝上開發的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優...
新思科技N5P工藝 2019-11-12

臺積公司授予新思科技四項“年度合作伙伴”獎項

重點：• 新思科技連續9年榮獲臺積公司接口IP核和工具支持“年度合作伙伴”獎項• 新思科技在接口IP核、聯合開發6奈米設計基礎架構以及聯合交付SoIC設計解決方案和云解決方案受到認可新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布在最近舉行的臺積公司2019開放創新平臺（OIP）...
接口IP核FinFET技術 2019-10-31

格芯為何放棄7nm轉攻3D封裝

近日，全球第二大晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布，采用12nm FinFET工藝，成功流片了基于ARM架構的高性能3D封裝芯片。這意味著格芯亦投身于3D封裝領域，將與英特爾、臺積電等公司一道競爭異構計算時代的技術主動權。放棄7nm 格芯轉攻3D封裝據報道，格芯攜手ARM公司驗證了3D設計測試（DFT）方法，...
3D封裝12nm FinFET工藝 2019-08-23

發布針對12LP FinFET工藝的廣泛DesignWare IP組合，新思科技與GLOBALFOUNDRIES持續合作

高質量DesignWare接口和模擬IP經過優化，可在人工智能、云計算和移動芯片中實現高性能和低功耗重點：• 針對GLOBALFOUNDRIES 12LP FinFET工藝的DesignWare IP組合包括多協議25G、USB 3.0和2.0、PCI Express 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY、SD-eMMC和ADC/DAC轉換器• 新思科技DesignWare ...
12LP FinFET工藝人工智能移動芯片 2019-06-27

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