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↓在新聞中搜索到 91 條關于“GAA”的信息，用時:0.002 sec.

代工雙雄如何走向3nm？

11月19日，聯發科正式發布了其近些年來最高端的手機SoC芯片天璣9000，采用了臺積電4nm制程工藝，這也是全球首款4nm芯片，有望在2022年第一季度量產。 5nm芯片在2020年就已實現量產，華為麒麟9000、高通驍龍888，以及蘋果的A14、A15等芯片，都采用了5nm工藝制造。在此基礎上，臺積電和三星正向3nm芯片進...
臺積電三星4nm芯片3nm 2021-11-24

安集科技參加集成電路超級工藝技術Workshop

11月19日，集成電路材料產業技術創新聯盟與科百特聯合舉辦的2021集成電路超凈工藝技術Workshop在杭州蕭山區順利舉行。會議采用了線上線下同時進行的形式，來自集成電路制造、硅材料、工藝化學品、光刻膠、CMP材料等產業鏈上下游企業的高層、技術人員及研究院所的學者共計約80余人參加了此次會議，共同探...
安集科技集成電路Workshop 2021-11-23

消息稱 AMD 和高通將成為三星 3nm 制程首批客戶

根據媒體 DIGITIMES 報道，AMD 和高通或將成為三星 3nm 芯片制程工藝的首批客戶。 DIGITIMES 通過業內相關人士獲悉，由于臺積電和蘋果的關系密切，臺積電被外界普遍認為會允許蘋果優先購買并使用臺積電采用最新制程工藝制造的芯片，此舉會引發其它廠商及企業的不滿，AMD 和高通很可能也會因此轉向三星...
AMD高通三星 3nm 2021-11-18

三星計劃2026年將晶圓代工產能提升三倍，明年上半年量產3nm

據日經亞洲評論報導，三星高層Han Seung-hoon昨天在財報電話會議上表示，2026年三星晶圓代工產能計劃擴充三倍，不但會擴增位于平澤市的生產線，還會前往美國打造一座全新晶圓廠，盡量滿足客戶需求。三星重申，預計明（2022）年上半年將為客戶生產旗下第一代3nm制程芯片，而第二代3nm芯片則預計于20...
三星晶圓代工 2021-10-29

三星宣布 3 納米制造技術推遲到明年上市

當地時間周三三星電子宣布公司新一代 3 納米芯片制造技術將推遲到 2022 年上市，同時稱更先進的 2 納米芯片制造技術將在 2025 年問世。三星曾計劃于今年開始用 3 納米制程工藝生產處理速度更快、能效更高的芯片產品。周三公司在“三星代工論壇”（Samsung Foundry Forum）上表示，轉向全新制造...
三星3 納米 2021-10-08

臺積電先進工藝遇難題，蘋果明年 iPhone 新機恐難采用 3nm 芯片

臺積電本周正式確認其 3nm 工藝（也稱為 N3）量產延遲大約 3 到 4 個月，并且這一問題嚴重影響了其客戶。這意味著蘋果 2022 年的 iPhone 將錯過 N3 節點因此只能采用 N4。此前報道稱，蘋果已經從臺積電獲得了 4nm 芯片訂單，預計將于 2021 年第四季度開始生產，而且還定下了 3nm 訂單...
臺積電3nm蘋果iPhone 2021-08-30

仍要晚于臺積電：機構稱三星 3nm 工藝不太可能在 2023 年前量產

據國外媒體報道，今年 6 月底外媒在報道中稱，三星電子寄予厚望的 3nm 芯片制程工藝，已經順利流片，距離量產又更近了一步。但英文媒體在最新的報道中表示，研究機構預計采用全環繞柵極晶體管（GAA）技術的三星 3nm 制程工藝，不太可能在 2023 年之前量產。正如英文媒體在報道中提到的一樣，如果三...
臺積電三星3nm 2021-08-18

中芯國際：FinFET 工藝已經達產，每月 1.5 萬片

昨日晚間，中芯國際發布二季度財報，2021 年第二季度的銷售收入為 13.4 億美元，同比增長 43.2%。第二季度毛利為 4.05 億美元，同比增長 62.9%。今日上午，中芯國際聯合首席執行官趙海軍在二季度電話會議上表示，“我們的 FinFET 工藝已經達產，每月 1.5 萬片，客戶多樣化，不同的產品...
FinFET中芯國際 2021-08-06

4nm量產已經提上進程：與蘋果A16芯片同一工藝

臺積電總裁魏哲家表示，4nm試產將按進度本季開始，終端應用包含智能手機與高速運算（HPC）。其實在這之前，已經有消息稱，高通和蘋果都已經瞄準了臺積電的4nm工藝，將讓其生產下一代旗艦處理器。據悉，高通有可能在2022年底推出驍龍895 Plus，它將作為驍龍895的超頻版。雖然現階段規格細節尚不清...
4nm 2021-07-16

制程與良率，誰才是芯片廠商的競賽底牌

五月初，IBM 宣布 2nm 工藝制程取得重大技術突破引發一番熱議，提醒業界 5nm 處理器已經大規模市場化，芯片巨頭們也已進入下一輪制程競賽：三星披露其即將推出的 3nm 工藝將基于下一代晶體管類型全柵極（GAA）FET，臺積電也計劃將 FinFET 擴展到 3nm，然后到 2024 年左右遷移到 2nm 的納米片 FET。一...
制程與良率 2021-06-09

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