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↓在新聞中搜索到 768 條關于“SiC”的信息，用時:0.004 sec.

模擬晶圓代工龍頭企業X-FAB與國產SiC功率器件供應商派恩杰達成長期戰略合作，共同推動全球SiC產業發展

2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產SiC功率器件供應商派恩杰聯合對外宣布，雙方就批量生產SiC晶圓建立長期戰略合作關系，此前雙方已經合作近三年時間。 X-FAB總部位于歐洲，是全球第一家提供150mm SiC工藝的代工企業。X-FAB符合汽車品質的生產環境可以幫...
模擬晶圓代工X－FABSiC功率器件派恩杰SiC 2021-09-06

Wolfspeed 與意法半導體擴大現有 150mm SiC 晶圓供應協議，總金額將超 8 億美元

今日，科銳與意法半導體宣布擴大現有的多年長期碳化硅（SiC）晶圓供應協議。根據該更新的協議，科銳將在未來數年向意法半導體供應 150mm SiC 裸晶圓和外延片，協議總金額將擴大至超過 8 億美元。意法半導體總裁兼首席執行官 Jean-Marc Chery 表示：“由于汽車產業正在從內燃機汽車向電動汽車轉型，...
Wolfspeed意法半導體150mm SiC 晶圓 2021-09-02

50余款達國際一流水平的國產SiC SBD、SiCMOS、GaN HEMT及應用DEMO即將亮相PCIM展

據2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM展）主辦方公布的信息，第三代半導體設計和方案商派恩杰半導體已確定參展，展位號E43。成立于2018年9月的派恩杰半導體，目前已是國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。2019年3月，派恩杰成立僅6個月即...
SiC SBDSiCMOSGaNHEMTPCIM展 2021-08-25

Cree 旗下 Wolfspeed與意法半導體擴大現有150mm SiC晶圓供應協議

全球碳化硅技術領先企業科銳Cree, Inc.與意法半導體STMicroelectronics宣布擴大現有的多年長期碳化硅（SiC）晶圓供應協議。科銳旗下 Wolfspeed 是全球 SiC 技術引領者。意法半導體是全球領先的半導體企業，橫跨多重電子應用領域。根據該更新的協議，科銳將在未來數年向意法半導體供應150mm SiC 裸晶圓和...
CreeWolfspeed意法半導體150mm SiC 2021-08-20

科銳攜手高斯寶，為服務器電源市場帶來SiC解決方案

全球碳化硅技術領先企業科銳Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，與深圳市高斯寶電氣技術有限公司（品牌：Gospower）成功合作。高斯寶電氣是一家專業從事電力電子變換產品的領先公司，屬國家級高新技術企業。高斯寶電氣將在其下一代 CRPS（Common Redundant Power Supply，通用冗余電源）解決方案...
科銳高斯寶SiC 2021-06-10

基本半導體劉誠：新能源汽車是SiC的最大驅動力

基本半導體秉承科技創新的理念，致力于打造行業領先的碳化硅IDM企業。基本半導體董事長汪之涵博士在接受中央電視臺新聞頻道記者采訪時談到：“功率半導體芯片，是電能高效控制和轉換的核心技術，關系到國計民生和國家安全。‘十四五’我們國家進入新的發展階段，對于芯片這種卡脖子技術，我們更要對標國...
基本半導體新能源汽車SiC第三代半導體 2021-04-20

羅姆阿波羅筑后工廠的環保型新廠房竣工，為SiC功率元器件生產增能！

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）為了增強SiC功率元器件的產能，在ROHM Apollo Co.，Ltd.（總部位于日本福岡縣）筑后工廠投建了新廠房。該廠房于2019年2月開工，于近日完工并舉行了竣工儀式。新廠房將配備融入了各種節能技術的生產設備，并使用100％可再生能源發電，是全新環保型工...
SiC羅姆 2021-01-13

電裝新型高質量SiC功率半導體賦予豐田Mirai更高性能

電裝新型高質量碳化硅功率半導體已用于豐田公司最近推出的第二代Mirai燃料電池電動汽車。電裝宣布已開始批量生產最新碳化硅功率半導體增壓功率模塊，這是其為實現低碳社會而做出的努力。該產品用于豐田的第二代Mirai新車型，于2020年12月9日上市。電裝表示，已開發出REVOSIC技術，...
SiC電裝 2021-01-05

UAES與羅姆成立“SiC技術聯合實驗室”并舉行啟動儀式

中國汽車行業一級綜合性供應商——聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡稱“UAES”）與全球知名半導體制造商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡稱“羅姆”）在中國上海的UAES總部成立了“SiC技術聯合實驗室”，并于2020年10月舉行了啟動儀式。副總經理郭...
UAES羅姆SiC 2020-12-08

UnitedSiC推首款750V SIC FETs 性能取得突破性發展

隨著半導體技術的提升，以SiC和GaN為代表第三代半導體材料越來越受到關注。與傳統硅工藝相比，SiC和GaN等寬禁帶半導體材料可實現更優的導熱性、更高的開關速率、更低導通電阻（RDS）以及更小的器件物理尺寸。很多傳統半導體巨頭將其視作未來功率器件新戰場，近年來紛紛加碼該領域，這其中包括領先的碳化...
UnitedSiCSIC FETs 2020-12-07

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