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RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經被視為負面的——此處“... （來源：技術文章頻道）
GaN功率放大器 PMIC 2023-11-29 11:31
RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。 如今，電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經被視為負面的&mdash... （來源：解決方案頻道）
GaN功率放大器電源管理PMIC 2023-11-22 10:59
全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）近日驚艷亮相在國際會展中心（上海）舉行的慕尼黑上海電子展（electronica China）。在 7.2 展館 D502 展位（H7.2 D502）展示了 Qorvo 領先的連接與電源技術在智能汽車、綠色能源、智能家居、工業互聯網等領域... （來源：新聞頻道）
Qorvo2023 慕尼黑上海電子展 2023-7-19 15:27
全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo® （納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術，其高性能具體表現在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產品 TOLL 封裝系列中的首發產品，其導通電阻范圍從 5.4 m... （來源：新聞頻道）
QorvoTOLL 封裝 5．4mΩ 750V SiC FETs 2023-3-21 14:18
2022 年 12 月 6 - 7 日，中國電工技術學會低壓電器專業委員會第二十一屆學術年會、第十七屆中國智能電工技術論壇暨固態新型斷路器技術發展及應用國際研討會（第二季）于江蘇常州順利召開。作為一場行業盛會，該會議主要圍繞固態/混合式新型斷路器的最新技術、前沿標準、全新檢測業務方向等相關解決方案... （來源：技術文章頻道）
電路保護SiC－FETs 2022-12-28 17:02
Stephen Russell作者：Stephen Russel (單位：TechInsights的Sr. Process Analyst_Power Devices)合著作者：Ramya Cuduvally（單位：CCEM和麥克馬斯特大學材料科學與工程學院）Brian Langelier（單位：CCEM和麥克馬斯特大學材料科學與工程學院）去年，TechInsights通過一系列博客展示了電氣特性的力量，... （來源：技術文章頻道）
TechInsights碳化硅器件 2022-12-7 14:19
作者：Peter Losee 在寬帶隙半導體開關的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiCMOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關，這兩種器件類型在某些方面都有局限性，特別是在柵極驅動要求和“第三象限”操作方面。SiC FET是替代選擇但是，還有另一種選擇。Uni... （來源：技術文章頻道）
寬帶隙半導體開關 Si MOSFET 2022-5-23 10:21
TI公司的UCC14240-Q1是高隔離電壓DC/DC模塊,給IGBT或SiC柵極驅動器提供電源.高精度輸出電壓提供了更好的通路性能,有更高的系統效率而不會使功率器件柵極出現過應力.模塊集成了變壓器和DC/DC控制器,具有專用架構,以達到高效率和低發射.UCC14240-Q1以高效率提供1.5W(典型)隔離輸出功率,僅需要最少的外接元... （來源：解決方案頻道）
電源管理DC／DC轉換器IGBT／SiC柵極驅動器 TIUCC14240－Q1 2021-11-11 15:12
隨著半導體技術的提升，以SiC和GaN為代表第三代半導體材料越來越受到關注。與傳統硅工藝相比，SiC和GaN等寬禁帶半導體材料可實現更優的導熱性、更高的開關速率、更低導通電阻（RDS）以及更小的器件物理尺寸。很多傳統半導體巨頭將其視作未來功率器件新戰場，近年來紛紛加碼該領域，這其中包括領先的碳化... （來源：新聞頻道）
UnitedSiC SIC FETs 2020-12-7 09:47
TI公司的TIDA-010025是三相逆變器參考設計,具有200-480 VAC驅動器和光仿真輸入柵極驅動器.它是基于光兼容單路隔離柵極驅動器UCC23513,用來驅動IGBT, MOSFET和SiC FET,具有4.5A源和5.3A沉峰值輸出電流以及5.7-KVRMS加強隔離指標.高電源電壓33V可使用雙極電壓有效地驅動IGBT和SiC功率FET.而參考設計TIDA-... （來源：解決方案頻道）
馬達控制逆變器柵極驅動器IGBTMOSFETSiC FET 2019-10-12 11:46
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