近日，在美國加利福尼亞州蒙特雷舉辦的 “2025 SPIE 光掩模技術(shù) + EUV 光刻會議上”，比利時微電子研究中心（imec） 展示了單次打印High NA EUV 光刻的兩項突破性成就： （1）間距為 20nm 的線結(jié)構(gòu)，尖端到尖端臨界尺寸 (CD) 為 13nm，適用于鑲嵌金屬化； （2）使用直接金屬蝕刻 (... （來源：新聞頻道）
imecEUV光刻機 2025-9-30 09:07
Counterpoint 發(fā)布的最新報告顯示，由于 5G、物聯(lián)網(wǎng)、云計算、高性能計算、汽車芯片和其他領(lǐng)域的需求增加，預(yù)計到 2030 年半導(dǎo)體行業(yè)收入將達到 1 萬億美元左右。隨著技術(shù)節(jié)點縮小，DUV（深紫外）和 EUV（極紫外）光刻系統(tǒng)被廣泛用于硅晶圓制作。 報告指出，ASML 是先進光刻系統(tǒng)和設(shè)備的領(lǐng)導(dǎo)者。憑借對... （來源：新聞頻道）
孔徑 EUVASML 2022-2-9 14:02
對于半導(dǎo)體制造來說，光刻機是極為關(guān)鍵的設(shè)備。數(shù)據(jù)顯示，在先進制程產(chǎn)線當中，光刻機的成本占比高達22%，同時也在所有制造工序所消耗的時間當中占據(jù)了20%。而全球光刻機大廠ASML獨家供應(yīng)的EUV光刻機，則是制造7nm以下先進制程的必備設(shè)備。 目前 ASML 已經(jīng)推出第三代 EUV光刻機，分別是 TWINSCAN NX... （來源：新聞頻道）
ASMLEUV光刻機 2021-12-23 09:44
剛剛，英特爾公布了公司有史以來最詳細的制程工藝和封裝技術(shù)路線圖！ 除了公布其近十多年來首個全新晶體管架構(gòu) RibbonFET 和業(yè)界首個全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò) PowerVia 之外，英特爾還重點介紹了迅速采用下一代極紫外光刻（EUV）技術(shù)的計劃，即高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV。 據(jù)悉，英特爾有望率先獲得... （來源：新聞頻道）
英特爾技術(shù)路線圖芯片代工 2021-7-27 17:08
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