半導體行業從誕生至今，先后經歷了三代材料的變更歷程。第三代半導體材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（禁帶寬度 Eg>2.3eV）的半導體材料。 據了解，我國把大力支持發展第三代半導體產業，寫入“十四五”規劃，計劃在2021-2... （來源：新聞頻道）
第三代半導體5G 2021-2-26 10:11
第三代半導體隨著近幾年的快速發展，在投資熱潮過后，逐漸有相應的產品進入到大眾的生活里面。 簡單來說，第三代半導體是指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、金剛石、氧化鋅（ZnO）為代表的寬禁帶半導體材料。與我們熟悉的傳統第一代、第二代半導體材料硅（Si）和砷化鎵（GaAs）相比，第三代半... （來源：新聞頻道）
GaNSiC5G 2020-9-11 12:01
半導體技術在不斷提升，端設備對于半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高。尋找硅（Si）以外新一代的半導體材料也隨之變得更加重要。在50多年前被廣泛用于LED產品的氮化鎵（GaN），再次走入大眾視野。特別是隨著5G的逐步商用，也進一步推動了以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）代表的第三代半導體材... （來源：新聞頻道）
5GGaN器件SiC 2020-5-8 16:09
擴展了氮化鎵(GaN)和LDMOS技術產品組合，全面提供各種高功率產品 恩智浦半導體去年擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導體(Si-LDMOS)蜂窩基礎設施產品組合，推動創新，以緊湊的封裝提供行業領先的性能，助力下一代5G蜂窩網絡發展。 5G連接涉及頻譜擴展、更高階位調制、載波聚合、全維波束賦形等... （來源：新聞頻道）
5G網絡LDMOS技術頻譜擴展 2019-4-24 10:05
新型射頻解決方案組合提供業界最高的集成度和性能，用于實現經濟高效的大規模MIMO有源天線系統 恩智浦半導體擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導體(Si-LDMOS)恩智浦半導體推出的用于實現5G基礎設施的新型射頻前端解決方案。恩智浦的產品組合解決了在開發用于5G大規模多輸入多輸出(mMIMO)的蜂窩... （來源：新聞頻道）
5G技術射頻有源天線系統 2019-4-24 09:50
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