前往首頁 聯系我們 網站地圖
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET,以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)拓... (來源:新聞頻道)
英飛凌CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列 2024-3-14 17:17
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比, 英飛凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提... (來源:新聞頻道)
英飛凌 碳化硅技術 CoolSiC MOSFET G2 2024-3-12 11:12
在當今高度依賴電力的社會中,功率損耗已成為電力電子領域不可忽視的關鍵因素。為滿足行業對更高效、更可靠的電力處理方案的需求,英飛凌科技股份公司近日推出了新型的碳化硅CoolSiC MOSFET G2溝槽技術。這一技術為AC/DC、DC/DC、DC/AC電源方案中的功率傳輸效率設定了新的標準,引領著電力電子領域的發... (來源:新聞頻道)
英飛凌CoolSiC MOSFET 2024-3-11 09:14
近日,英飛凌宣布與全球領先的能源互聯網核心電力設備及解決方案領軍企業盛弘電氣股份有限公司達成合作。英飛凌將為盛弘提供業內領先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體器件,配合EiceDRIVER™ 緊湊型1200V單通道隔離柵極驅動IC, 從而進一步提升儲能變流器的效率。在“雙碳”戰略和新能源浪潮帶動... (來源:新聞頻道)
英飛凌盛弘電氣儲能市場綠色能源 2024-1-26 10:02
基于碳化硅(SiC)的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢,為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日,英飛凌科技股份公司宣布與中國的新能源汽車充電市場領軍企業英飛源達成合作。英飛凌將為英飛源提供業內領先的1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半導體器件,用于... (來源:新聞頻道)
英飛凌 新能源汽車充電市場 2023-9-22 11:29
當前的能源危機充分表明,全球迫切需要尋找替代能源來構建氣候友好型的能源供應能力。近日,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的CoolSiC™ MOSFET和CoolSiC二極管被總部位于加利福尼亞州的布魯姆能源公司(Bloom Energy)選中,用于其燃料電池產品布魯姆能源服務器(Bloom’... (來源:新聞頻道)
英飛凌 布魯姆能源公司 電解系統 燃料電池CoolSiC功率器件 2022-10-26 17:03
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其1200 V CoolSiC™ MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業標準模塊封裝產品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統62mm IGBT模塊... (來源:新聞頻道)
碳化硅英飛凌62mm CoolSi 2020-7-15 10:44
目前,以GaN、SiC為代表的第三代半導體因具備優異的材料物理特性,為進一步提升電力電子器件的性能提供了更大的空間。SiC作為第三代半導體材料的典型代表,也是目前晶體生產技術和器件制造水平最成熟,應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一,目前在已經形成了全球的材料、器件和應用產業鏈。根據IHS預測,... (來源:新聞頻道)
SiC第三代半導體材料電源供應器 2020-4-28 10:03
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進一步擴展其碳化硅(SiC)產品組合,推出650V器件。其全新發布的CoolSiC™ MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度... (來源:新聞頻道)
MOSFET服務器電動汽車 2020-2-25 17:16
英飛凌日前利用采用先進中性點鉗位(advanced neutral-point-clamped ANPC)拓撲結構,將混合碳化硅(SiC)和IGBT功率模塊EasyPACK 2B提升到1200V。該模塊分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點損耗進行了優化,具有更高的功率密度和高達48 kHz的開關頻率,適用于新一代1500V光伏和儲... (來源:新聞頻道)
英飛凌 EasyPACK 2B NTC溫度傳感器 2019-7-26 16:24
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099