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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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↓在新聞中搜索到 497 條關(guān)于“SK”的信息，用時(shí):0.003 sec.

SK啟方半導(dǎo)體推出能夠測(cè)量速度和方向的3D霍爾效應(yīng)傳感器技術(shù)

韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)今天宣布，該公司為其代工廠客戶提供一種新型3D霍爾效應(yīng)傳感器技術(shù)，可通過(guò)三維磁場(chǎng)檢測(cè)來(lái)測(cè)量速度和方向。霍爾效應(yīng)傳感器是一種利用霍爾效應(yīng)測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度的裝置，能夠檢測(cè)到當(dāng)導(dǎo)體或半導(dǎo)體穿過(guò)磁場(chǎng)時(shí)產(chǎn)生的電壓差。所測(cè)量的磁場(chǎng)被應(yīng)用于那些利用...
SK啟方半導(dǎo)體3D霍爾效應(yīng)傳感器技術(shù) 2025-03-07

SK海力士推出首款自研CXL控制器：臺(tái)積電負(fù)責(zé)制造

據(jù)報(bào)道，SK海力士已經(jīng)準(zhǔn)備好首款自研CXL（Compute Express Link）控制器，支持CXL 3.0/3.1標(biāo)準(zhǔn)，由臺(tái)積電（TSMC）負(fù)責(zé)制造，選擇更為先進(jìn)的工藝。同時(shí)，SK海力士還在積極推進(jìn)2.5D和扇出晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并計(jì)劃將相關(guān)芯片技術(shù)商業(yè)化。據(jù)消息透露，SK海力士計(jì)劃從2025年第一季度末開(kāi)始...
SK海力士自研CXL控制器 2025-02-20

SK化學(xué)，攜手現(xiàn)代汽車開(kāi)發(fā)可持續(xù)汽車

"汽車也適用循環(huán)再利用技術(shù)"• 通過(guò)與現(xiàn)代汽車的合作，完成了應(yīng)用循環(huán)再利用技術(shù)的汽車研究項(xiàng)目• 掌握了從報(bào)廢汽車回收到再利用的全過(guò)程技術(shù)… 計(jì)劃拓展至服裝、電子設(shè)備等領(lǐng)域韓國(guó)代表性化工企業(yè)與汽車企業(yè)，為了實(shí)現(xiàn)循環(huán)經(jīng)濟(jì)而攜手合作。SK化學(xué)（首席執(zhí)行官安宰炫）于4日宣布...
SK化學(xué)現(xiàn)代汽車 2024-12-11

消息稱三星和SK海力士合作推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存

三星電子和SK海力士正在合作共同推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)化。雙方的合作旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)化。據(jù)悉，三星電子和SK海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進(jìn)行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)（JEDEC）注冊(cè)標(biāo)準(zhǔn)化的初步工作，目前雙方正在討論確定每項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的具體規(guī)格。三星電子...
SK海力士三星 2024-12-05

SK chemicals的循環(huán)再生技術(shù)視頻在“2024國(guó)際商業(yè)大獎(jiǎng)”中榮獲金獎(jiǎng)

• 獲獎(jiǎng)視頻展示了循環(huán)再生業(yè)務(wù)的愿景與解決方案• 因"有效呈現(xiàn)SK chemicals創(chuàng)新的再生解決方案"而備受贊譽(yù)SK chemicals的專有循環(huán)再生技術(shù)視頻在一項(xiàng)國(guó)際競(jìng)賽中贏得大獎(jiǎng)。 SK chemicals的循環(huán)再生技術(shù)視頻在"2024國(guó)際商業(yè)大獎(jiǎng)"中榮獲金獎(jiǎng) SK chemicals（首席執(zhí)行官兼總裁：Ahn Jae-hyun）...
SK chemicals2024國(guó)際商業(yè)大獎(jiǎng) 2024-10-25

SK啟方半導(dǎo)體推出HVIC工藝技術(shù)，擴(kuò)大高壓代工服務(wù)組合

韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體 (SK keyfoundry) 今日宣布推出HVIC（高壓集成電路）工藝技術(shù)，從而擴(kuò)大和增強(qiáng)了高壓代工服務(wù)組合。SK啟方半導(dǎo)體的HVIC工藝特點(diǎn)在于，它可以在一個(gè)工藝中實(shí)現(xiàn)5V邏輯、25V高壓器件、650V+ nLDMOS（橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）以及650V以上自舉二極管，這使得客...
SK啟方半導(dǎo)體HVIC工藝技術(shù) 2024-10-25

SK啟方半導(dǎo)體推出第四代0.18微米BCD工藝

為提高移動(dòng)和汽車功率半導(dǎo)體性能提供了解決方案韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)今天宣布推出其第四代0.18微米BCD工藝，性能較之前的第三代提升了約20%。借此，SK啟方半導(dǎo)體為提高移動(dòng)和汽車功率半導(dǎo)體性能提供了解決方案。SK啟方半導(dǎo)體的第四代0.18微米BCD工藝提供高達(dá)40V的功率器件...
SK啟方半導(dǎo)體BCD工藝 2024-09-11

SK海力士將開(kāi)發(fā)性能高30倍HBM

SK海力士副社長(zhǎng)柳成洙（Ryu Seong-su）在論壇上公開(kāi)表示，SK海力士要開(kāi)發(fā)比目前的HBM性能高30倍的產(chǎn)品。柳成洙表示，SK海力士的目標(biāo)是開(kāi)發(fā)出比現(xiàn)有HBM性能高出20~30倍的產(chǎn)品，并專注于推出差異化產(chǎn)品。報(bào)道稱，SK海力士根據(jù)客戶的具體需求，正在準(zhǔn)備定制HBM第6代HBM4。據(jù)悉，SK海力士的HBM受到了包括蘋...
HBMSK海力士 2024-08-21

SK海力士宣布于第三季度量產(chǎn)GDDR7 DRAM芯片

7月30日，SK海力士宣布推出了全球最高性能的新一代顯存產(chǎn)品GDDR7，將于今年第三季度開(kāi)始量產(chǎn)，將適用于圖形處理、人工智能、高性能計(jì)算、自動(dòng)駕駛等多種領(lǐng)域。（圖源：SK Hynix）據(jù)介紹，GDDR7實(shí)現(xiàn)了高達(dá)32Gbps的運(yùn)行速度，其與前一代相比提高了60%以上，根據(jù)使用環(huán)境速度最高可達(dá)40Gbps。該產(chǎn)品搭...
SK海力士GDDR7 DRAM芯片 2024-07-31

SK啟方半導(dǎo)體加大力度開(kāi)發(fā)GaN新一代功率半導(dǎo)體

韓國(guó)8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體（SK keyfoundry）今日宣布，已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）的關(guān)鍵器件特性。公司正在加大GaN的開(kāi)發(fā)力度，力爭(zhēng)在年內(nèi)完成開(kāi)發(fā)工作。SK啟方半導(dǎo)體持續(xù)關(guān)注著GaN功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)和潛力。為此，公司于2022年成立了一個(gè)專職團(tuán)隊(duì)來(lái)推動(dòng)GaN工藝的開(kāi)發(fā)。日前，公司已得...
SK啟方半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體GaN 2024-06-19

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