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三星電子代表昨日在韓國(guó)“AI-PIM 研討會(huì)”上表示，正按計(jì)劃逐步推進(jìn) eMRAM 內(nèi)存的制程升級(jí)，目前 8nm eMRAM 的技術(shù)開(kāi)發(fā)已基本完成。作為一種新型內(nèi)存，MRAM 基于磁性原理，具有非易失性，不需要同 DRAM 內(nèi)存一樣不斷刷新數(shù)據(jù)，更為節(jié)能高效；同時(shí) MRAM 的寫(xiě)入速度又是 NAND 的 1000 倍，支持對(duì)寫(xiě)入... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
三星電子 eMRAM 2024-6-3 14:20
近年來(lái)，在人工智能（AI）、5G等推動(dòng)下，以MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM)、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PRAM），以及可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）為代表的新興存儲(chǔ)技術(shù)逐漸成為市場(chǎng)熱點(diǎn)。這些新技術(shù)吸引各大晶圓廠不斷投入，最具代表性的廠商包括臺(tái)積電、英特爾、三星和格芯（... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
MRAM 2020-8-13 11:04
GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究，讀寫(xiě)速度可以媲美S... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
GF 12nm工藝MRAM芯片 2020-3-16 14:12
就在2018年8月，在晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)宣布停止7納米及其以下先進(jìn)制程的發(fā)展之后，長(zhǎng)期合作伙伴的處理器大廠AMD便開(kāi)始將7納米Zen架構(gòu)的CPU訂單全都交給臺(tái)積電代工，雙方的這兩年的合作關(guān)系非常緊密，也使得AMD獲得諸多效益。與之相比，AMD的前合作伙伴格芯在不發(fā)展先進(jìn)制程的情況下，改在... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
格芯 22FDX eMRAM生產(chǎn)技術(shù) 2020-3-11 15:10
格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺(tái)的嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶(hù)，計(jì)劃2020年安排多次生產(chǎn)流片。此次公告是一個(gè)重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、通用微控制器、汽車(chē)、終端人工智能和其他低功耗應(yīng)用中作為先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的高性?xún)r(jià)比選擇。格... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
格芯 22FDX平臺(tái) 2020-3-2 10:31
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MRAM 2020-8-13 11:04
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