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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出二合一結(jié)構(gòu)的SiC模塊“DOT-247”，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度。 目... （來(lái)源：新品頻道）
ROHMSiCDOT247 2025-9-22 15:52
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率... （來(lái)源：新品頻道）
東芝TOLLMOSFETSiC 2025-8-28 15:44
一款節(jié)省空間的解決方案，為電動(dòng)汽車充電、UPS和太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)提供強(qiáng)大過(guò)壓防御。 Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出Pxxx0S3H SIDACtor®保護(hù)晶閘管系列，該系列是業(yè)內(nèi)首款采用DO-21... （來(lái)源：新品頻道）
保護(hù)晶閘管Littelfuse 2025-8-12 16:13
英諾賽科 (Innoscience) 雙向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性價(jià)比，可支持新型雙向電力電子系統(tǒng)。它取代了傳統(tǒng)的背靠背 Si MOSFET，顯著降低了功率損耗，提高了開關(guān)速度，并縮小了電源系統(tǒng)的尺寸，降低了 BOM 成本。 當(dāng)前，我們正在擴(kuò)展組件生態(tài)系統(tǒng)，通過(guò)100V 低邊驅(qū)動(dòng) IC INS1011SD&... （來(lái)源：新品頻道）
英諾賽科驅(qū)動(dòng)IC 2025-8-11 09:22
TDK株式會(huì)社（東京證券交易所代碼：6762）隆重發(fā)布新的B3264xH系列雙面蒸鍍金屬化聚丙烯 (MMKP) 薄膜電容器。新系列元件專為應(yīng)對(duì)高頻應(yīng)用中高達(dá)6,500 V/µs的脈沖應(yīng)力而設(shè)計(jì)，有效補(bǔ)充了傳統(tǒng)解決方案的局限。這些元件非常適合諧振電路應(yīng)用，尤其是應(yīng)用廣泛的LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。憑借緊湊的外形... （來(lái)源：新品頻道）
TDK薄膜電容器 2025-8-7 09:25
英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度 【2025年8月1日，德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供... （來(lái)源：新品頻道）
英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-8-1 16:27
TDK株式會(huì)社（東京證券交易所代碼：6762）推出一系列全新大尺寸鐵氧體磁芯，其磁芯形狀各異，使其成為業(yè)內(nèi)同類大尺寸磁芯中涵蓋形狀、尺寸和材料最豐富的產(chǎn)品系列*。這類磁芯廣泛應(yīng)用于不同的工業(yè)應(yīng)用，例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車充電樁、鐵路與軌道交通中的功率變壓器、焊接設(shè)備、醫(yī)療器械、不間斷電源... （來(lái)源：新品頻道）
TDK鐵氧體磁芯 2025-7-28 11:13
在新能源、工業(yè)電源和高效能系統(tǒng)日益追求高頻、高效、高溫可靠性的時(shí)代，碳化硅（SiC）器件正逐漸成為電力電子的核心。時(shí)科深耕第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，傾力打造出全新一代650V、15A碳化硅肖特基二極管——Q-SSC1565-TF，全面助力高性能功率系統(tǒng)升級(jí)換代。 領(lǐng)先于時(shí)代的技術(shù)選型 Q-SSC1565-... （來(lái)源：新品頻道）
時(shí)科肖特基二極管 2025-7-9 11:25
基于成熟的SuperGaN技術(shù)，650V第四代增強(qiáng)型產(chǎn)品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來(lái)強(qiáng)勁性能 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型... （來(lái)源：新品頻道）
瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42
提供業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 150 kV/μs CMTI、400 kHz帶寬和 ± 0.3 %的低增益誤差 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出最新款隔離放大器 - VIA0050DD、VIA0250DD和VIA2000SD。這些新器件性能更強(qiáng)，適用于對(duì)高精度、高可靠性和精巧體積有高要求的應(yīng)用，如... （來(lái)源：新品頻道）
Vishay隔離放大器 2025-6-5 16:04
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保護(hù)晶閘管Littelfuse 2025-8-12 16:13
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