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SiC JFET 讓固態斷路器（SSCB）無懼高溫工況

SiC JFET 讓固態斷路器（SSCB）無懼高溫工況

作者：安森美斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD）或接地故障斷路器（GFCI）。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代，如今仍... （來源：技術文章頻道）

固態斷路器SiC JFET 2025-9-30 13:09

英飛凌推出75 mΩ工業級CoolSiC 650 V G2系列MOSFET，適用于具備高功率密度需求的中功率應用場景

英飛凌推出75 mΩ工業級CoolSiC 650 V G2系列MOSFET，適用于具備高功率密度需求的中功率應用場景

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布擴展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET產品組合，新增 75 mΩ 規格型號，以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統的需求。該系列器件提供多種封裝選擇，包括... （來源：新品頻道）

英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-9-23 09:23

Nexperia推出100 V MOSFET，為高要求汽車應用實現超低導通損耗

Nexperia推出100 V MOSFET，為高要求汽車應用實現超低導通損耗

Nexperia今天宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212（12 x 12毫米）銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可實現460A以上的安全電流。產品包含頂部和底部散熱封裝組合，非常適合對散熱要求嚴格的48V汽車應用，包括車載充電器(OBC)、牽引... （來源：新品頻道）

NexperiaMOSFET 2025-9-19 13:23

iDEAL半導體宣布推出具有行業領先性價比的200 V SuperQ MOSFET系列

iDEAL半導體宣布推出具有行業領先性價比的200 V SuperQ MOSFET系列

iDEAL半導體宣布，其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款產品已進入量產階段，另外四款200 V器件現已提供樣品。 SuperQ是硅MOSFET技術在超過25年來的首次重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在性能和效率方面實現了階躍式提升，同時保留了硅的核心優勢：堅固性、高產量制造能力，以及... （來源：新品頻道）

iDEALMOSFET 2025-9-5 15:01

東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率... （來源：新品頻道）

東芝TOLLMOSFETSiC 2025-8-28 15:44

工業充電器拓撲結構選型基礎知識：隔離式DC－DC功率級的選擇

工業充電器拓撲結構選型基礎知識：隔離式DC－DC功率級的選擇

作者：安森美碳化硅（SiC）功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作，從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。隔... （來源：技術文章頻道）

充電器拓撲結構 2025-8-8 11:17

iDEAL的SuperQ技術正式量產，推出150V與200V MOSFET，展示業界領先的性能指標

iDEAL的SuperQ技術正式量產，推出150V與200V MOSFET，展示業界領先的性能指標

iDEAL Semiconductor的SuperQ™技術現已全面量產，首款產品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。 SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電... （來源：新品頻道）

iDEALSuperQMOSFET 2025-7-18 13:22

輕裝上陣，245W戰力巔峰！鎵未來氮化鎵黑科技引爆聯想拯救者快充革命

火力全開，直“充”巔峰圖片來源：鎵未來微信公眾號還在為激烈的團戰突然電量不足而懊惱？還在忍受傳統筆記本電源適配器的笨重束縛？鎵未來攜手聯想打造的拯救者 245W 氮化鎵充電器橫空出世，讓你徹底擺脫線纜的沉重牽絆，火力全開，直“充”巔峰！這款明星產品之... （來源：新聞頻道）

氮化鎵充電器 2025-7-11 11:13

瑞薩電子推出全新GaN FET，增強高密度功率轉換能力，適用于AI數據中心、工業及電源系統應用

瑞薩電子推出全新GaN FET，增強高密度功率轉換能力，適用于AI數據中心、工業及電源系統應用

基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型... （來源：新品頻道）

瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42

SiC Combo JFET技術概覽與特性

SiC Combo JFET技術概覽與特性

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。 ... （來源：技術文章頻道）

SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30

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