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Nexperia今天宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212（12 x 12毫米）銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可實現460A以上的安全電流。產品包含頂部和底部散熱封裝組合，非常適合對散熱要求嚴格的48V汽車應用，包括車載充電器(OBC)、牽引... （來源：新品頻道）
NexperiaMOSFET 2025-9-19 13:23
iDEAL半導體宣布，其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款產品已進入量產階段，另外四款200 V器件現已提供樣品。 SuperQ是硅MOSFET技術在超過25年來的首次重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在性能和效率方面實現了階躍式提升，同時保留了硅的核心優勢：堅固性、高產量制造能力，以及... （來源：新品頻道）
iDEALMOSFET 2025-9-5 15:01
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率... （來源：新品頻道）
東芝TOLLMOSFETSiC 2025-8-28 15:44
作者：安森美 碳化硅（SiC）功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作，從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。 隔... （來源：技術文章頻道）
充電器拓撲結構 2025-8-8 11:17
iDEAL Semiconductor的SuperQ™技術現已全面量產，首款產品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。 SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電... （來源：新品頻道）
iDEALSuperQMOSFET 2025-7-18 13:22
火力全開，直“充”巔峰 圖片來源：鎵未來微信公眾號 還在為激烈的團戰突然電量不足而懊惱？還在忍受傳統筆記本電源適配器的笨重束縛？鎵未來攜手聯想打造的拯救者 245W 氮化鎵充電器橫空出世，讓你徹底擺脫線纜的沉重牽絆，火力全開，直“充”巔峰！ 這款明星產品之... （來源：新聞頻道）
氮化鎵充電器 2025-7-11 11:13
基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型... （來源：新品頻道）
瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。 ... （來源：技術文章頻道）
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
當桌面充電邁入“高效與美學并存”的時代，鎵未來以尖端氮化鎵技術再次引領革新。近日，我們攜手全球消費電子巨頭 Anker，共同打造兩款高顏值、便攜型桌面充電產品：Anker 130W 4C2A 六口桌面充 Mini、Anker 100W 3C1A 桌面充 Mix 以鎵未來 G2N70R150TA-H 功率器件為核心動力，... （來源：新聞頻道）
鎵未來氮化鎵 2025-6-25 14:31
鎵未來助力聯想筆電最小體積65W充電器 全球第一大PC廠商聯想Lenovo，近期發布Lenovo Air X AI元啟版，Lenovo YOGA 360 14 Aura Al元啟翻轉輕薄本、Lenovo YOGA 360 14 AI元啟版、Lenovo YOGA Air 15 Aura Al元啟版等多款筆記本電腦，均INBOX標配65W 49cc氮化鎵快充充電器，這是迄今為止聯想筆記本電... （來源：新聞頻道）
聯想65W充電器鎵未來 2025-6-16 11:30
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