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高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布,新增的TP65H050G4BS器件擴(kuò)充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN®場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET),典型導(dǎo)通阻抗為50mOh... (來源:新品頻道)
Transphorm表面貼裝封裝SuperGaND2PAK 2022-7-19 10:16
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),推出最新的混合信號(hào)控制器,專用于無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(TP PFC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。NCP1681的目標(biāo)應(yīng)用是超高密度離線電源。該新的控制器以適用于達(dá)350 W設(shè)計(jì)的 NCP1680的成功為基礎(chǔ),將功率能力擴(kuò)展到千瓦范圍。 在過去... (來源:新品頻道)
安森美PFC控制器NCP1681 2022-3-22 16:03
意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN的首個(gè)參考設(shè)計(jì),展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效,簡(jiǎn)化產(chǎn)品設(shè)計(jì),縮短上市時(shí)間。 EVLMG1-250WLLC參考設(shè)計(jì)是一個(gè)250W諧振變換器,電路板尺寸是100mm x 60mm,最高組件高度是35mm。功率芯片是集成了一個(gè)STDRIVE半橋柵極驅(qū)動(dòng)器以及兩顆650V常關(guān)的GaN晶體管的... (來源:新品頻道)
意法半導(dǎo)體MasterGaN諧振變換器EVLMG1-250WLLC 2021-5-18 17:01
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比,新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS... (來源:新品頻道)
Nexperia 2021-4-27 13:24
高可靠性、高性能的氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)與Bel集團(tuán)(NASDAQ: BELFA and BELFB)旗下子公司Bel Power Solutions聯(lián)合宣布,Bel的六款鈦金級(jí)效率電源采用了Transphorm的高壓GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。從這一消息可以看出,在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、路由器和... (來源:新品頻道)
Bel Power SolutionsTransphorm 2021-1-22 11:55
GaN Systems開發(fā)了兩款650V半橋評(píng)估板(30 A和60 A),用于評(píng)估氮化鎵(GaN)驅(qū)動(dòng)器和GaN晶體管在各種應(yīng)用中的性能。該公司聲稱,這些子板是業(yè)界首款可提供具有可調(diào)閾值和可編程源電流,帶有過流保護(hù)功能,以實(shí)現(xiàn)可調(diào)節(jié)的導(dǎo)通壓擺率。 子板具有兩種功率級(jí)別:最高3 kW(GS-EVB-HB-66508B-RN)和最高... (來源:新品頻道)
GaN Systems 2021-1-14 12:54
GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商GaN Systems與安森美半導(dǎo)體(OnSemi)合作宣布推出全新100V高速半橋評(píng)估板(GS-EVB-HB-61008P-ON)。該產(chǎn)品專為現(xiàn)有和全新的PCB設(shè)計(jì)而開發(fā),使電力電子設(shè)計(jì)人員能夠輕松評(píng)估GaN以應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的48V市場(chǎng)應(yīng)用,包括非隔離降壓轉(zhuǎn)換器,非隔離升壓轉(zhuǎn)換器,以及半橋和全橋轉(zhuǎn)換... (來源:新品頻道)
GaN Systems 安森美 GaN 2020-12-7 16:28
半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 推出世界首個(gè)嵌入硅基半橋驅(qū)動(dòng)芯片和一對(duì)氮化鎵(GaN)晶體管的MasterGaN®產(chǎn)品平臺(tái),這個(gè)集成化解決方案將有助于加快下一代400W以下輕便節(jié)能的用于消費(fèi)電子和工業(yè)充電器和電源適配器的開發(fā)速度。 GaN技術(shù)使電子設(shè)備能夠處理更大功率,同時(shí)設(shè)備本身變得更小、更輕... (來源:新品頻道)
ST GaN MasterGaN 2020-10-10 17:01
Transphorm, Inc.宣布推出其最新的評(píng)估板TDTTP4000W065AN。該評(píng)估板為高達(dá)4千瓦(kW)的單相交流轉(zhuǎn)直流(AC-DC)電源轉(zhuǎn)換而設(shè)計(jì),采用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)浜蛡鹘y(tǒng)的模擬控制。 TDTTP4000W065AN充分利用SuperGaN™ FET的性能,設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)... (來源:新品頻道)
TransphormGaN評(píng)估板 2020-9-4 11:05
Transphorm宣布,該公司的第二款900 V GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)現(xiàn)已投入生產(chǎn)。TP90H050WS的典型導(dǎo)通電阻為50毫歐,瞬態(tài)峰值額定值為1千伏,現(xiàn)已通過電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)(JEDEC)認(rèn)證。 開發(fā)和制造高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的先驅(qū)Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 宣布,該公司的第二款900... (來源:新品頻道)
Transphorm 900 V GaN 2020-8-19 16:32
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