全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,開發出實現業界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封裝,非常適用于采用48V電源AI服務器的熱插拔電路*2,以及需要電池保護的工業設備電源等應用。 RS7P200BM采用小... (來源:新品頻道)
ROHMMOSFETRS7P200BM 2025-11-12 11:22
圣邦微電子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐壓、低導通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應用于 VBUS 過壓保護開關、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關及 DC/DC 轉換器。 SGMNQ12340 具有低導通電阻的顯著特點,其典型值僅為 13mΩ(VGS = 10V),最大值不... (來源:新品頻道)
圣邦微電子MOSFET SGMNQ12340 2025-10-13 14:08
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關電源等應用,適用于數據中心和通信基站使用的工業設備。產品于今日開始正式出貨。 100V U... (來源:新品頻道)
東芝MOSFET開關電源 2025-9-25 15:16
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出二合一結構的SiC模塊“DOT-247”,該產品非常適合光伏逆變器、UPS和半導體繼電器等工業設備的應用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性,同時還能實現更高的設計靈活性和功率密度。 目... (來源:新品頻道)
ROHMSiCDOT247 2025-9-22 15:52
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面貼裝TOLL封裝,適用于開關電源、光伏發電機功率... (來源:新品頻道)
東芝TOLLMOSFETSiC 2025-8-28 15:44
意法半導體的新離線高壓轉換器VIPer11B可為高達 8W 的應用(包括照明、智能家居設備、家用電器和智能電表)提供高能效、低成本的小電源。 意法半導體的 VIPer11B電源轉換器集成豐富的功能,有助于簡化電路設計,節省外部元器件數量,從而降低物料清單成本。800V耐壓 MOSFET 只需要小緩沖元... (來源:新品頻道)
意法半導體高壓轉換器VIPer11B 2025-7-15 11:39
專為高功率密度應用而設計的 DFN3.3x3.3 源極朝下封裝,采用創新的柵極中置布局技術,可大幅簡化 PCB 走線設計。 日前,集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出采用DFN3.3x3.3源極朝下(S... (來源:新品頻道)
AOS封裝AONK40202 MOSFET 2025-6-18 14:32
~兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻,被全球知名云平臺企業認證為推薦器件~ 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,開發出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服務器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業設備電源等應用的理想之選。 RY7P250BM為8&... (來源:新品頻道)
ROHM AI 服務器 電源熱插拔電路 MOSFET 2025-6-3 16:04
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵(GaN)開關——650 V CoolGaN™ G5雙向開關(BDS)。該產品采用共漏極設計和雙柵極結構,是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管(GIT)技術和... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolGaN G5雙向開關 2025-5-26 13:28
-四款新器件助力提升工業設備的效率和功率密度- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的... (來源:新品頻道)
東芝MOSFET 2025-5-20 12:03