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作者：安森美 碳化硅（SiC）功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作，從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。 隔... （來源：技術文章頻道）
充電器拓撲結構 2025-8-8 11:17
單器件雙向控制，開啟無限可能 作者：Dr. Kennith Kin Leong, Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer, High-Voltage GaN Bidirectional Switch at Infineon Technologies. 校對：宋清亮英飛凌消費、計算與通訊業務大中華區技術市場總監 電力電子技術在過去幾十年間經歷了巨... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵開關電力電子 2025-7-10 13:13
Microchip Technology Inc. 高功率解決方案業務部 資深顧問級應用工程師 Ehab Tarmoom 在減少排放和實現凈零目標的前進道路上，碳化硅技術將在可持續發展應用中發揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統中添加電力電子器件（例如電機驅動器）或增強現有系統中的電力電子器件以達到更高的電... （來源：技術文章頻道）
SiC熔絲保護高壓電氣電子熔絲 2025-6-30 16:00
在“雙碳”目標推動下，分布式光伏因靈活部署優勢成為能源轉型的重要載體。作為光伏組件直流轉交流的核心設備，微型逆變器憑借組件級精準控制，有效解決傳統組串式方案的失配損耗與安全問題，在戶用及光伏建筑一體化（BIPV）場景中價值凸顯。隨著行業對高集成度、高效率及低成本的需求升級，... （來源：解決方案頻道）
兆易創新光伏 2025-6-19 16:04
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，將參加SNEC PV+第十八屆（2025）國際太陽能光伏與智慧能源（上海）大會暨展覽會（展位號：5.1H-B360），集中展示其在數字能源領域的創新成果。本次展會，兆易創新將推出覆蓋功率控制、儲能系統、端側AI等應用領域的MCU和AFE解決... （來源：新聞頻道）
兆易創新SNEC光伏展能源 2025-6-10 16:13
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統可靠性并降低系統成本。 應用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢... （來源：新品頻道）
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關——650 V CoolGaN™ G5雙向開關（BDS）。該產品采用共漏極設計和雙柵極結構，是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管（GIT）技術和... （來源：新品頻道）
英飛凌CoolGaN G5雙向開關 2025-5-26 13:28
作者：Prasad Paruchuri，安森美技術營銷部 隨著技術的不斷進步，我們如今能夠研發出比以往更緊湊、功率更大、使用壽命更長且充電速度更快的電池。 在道路上，由電池驅動的車輛數量日益增多。在家庭中，從手持電動工具到割草機，各類設備都已實現無線化。在建筑領域，錘鉆、沖擊扳手、... （來源：技術文章頻道）
電池供電安森美 2025-5-23 11:55
常規開關（例如MOSFET或IGBT）通常具有正導電狀態和反向阻塞狀態。例如，使用MOSFET主體二極管或與IGBT添加抗平行二極管，可以使用第三象限傳導。這允許反向傳導流，但沒有任何門控制。這些設備通常可以通過在背對背（B2B）配置中使用這些設備中的兩個設備來實現可開關的雙向流。 由于有效的州電阻（... （來源：技術文章頻道）
MOSFET氮化鎵單片雙向開關 2025-4-17 09:13
在全球持續面臨氣候變化和環境可持續發展挑戰之際，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）一直站在創新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在內的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數字化領域的發展。 CoolGaN 英飛凌在其 《2025年GaN功率半... （來源：新聞頻道）
英飛凌GaN 2025-2-26 15:05
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