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作者:安森美 碳化硅(SiC)功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇,因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作,從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外,SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。 隔... (來源:技術文章頻道)
充電器拓撲結構 2025-8-8 11:17
單器件雙向控制,開啟無限可能 作者:Dr. Kennith Kin Leong, Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer, High-Voltage GaN Bidirectional Switch at Infineon Technologies. 校對:宋清亮英飛凌消費、計算與通訊業務大中華區技術市場總監 電力電子技術在過去幾十年間經歷了巨... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵開關電力電子 2025-7-10 13:13
Microchip Technology Inc. 高功率解決方案業務部 資深顧問級應用工程師 Ehab Tarmoom 在減少排放和實現凈零目標的前進道路上,碳化硅技術將在可持續發展應用中發揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統中添加電力電子器件(例如電機驅動器)或增強現有系統中的電力電子器件以達到更高的電... (來源:技術文章頻道)
SiC熔絲保護高壓電氣電子熔絲 2025-6-30 16:00
在“雙碳”目標推動下,分布式光伏因靈活部署優勢成為能源轉型的重要載體。作為光伏組件直流轉交流的核心設備,微型逆變器憑借組件級精準控制,有效解決傳統組串式方案的失配損耗與安全問題,在戶用及光伏建筑一體化(BIPV)場景中價值凸顯。隨著行業對高集成度、高效率及低成本的需求升級,... (來源:解決方案頻道)
兆易創新光伏 2025-6-19 16:04
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,將參加SNEC PV+第十八屆(2025)國際太陽能光伏與智慧能源(上海)大會暨展覽會(展位號:5.1H-B360),集中展示其在數字能源領域的創新成果。本次展會,兆易創新將推出覆蓋功率控制、儲能系統、端側AI等應用領域的MCU和AFE解決... (來源:新聞頻道)
兆易創新SNEC光伏展能源 2025-6-10 16:13
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N,該芯片集成正負壓穩壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力,可以顯著簡化GaN驅動電路設計,提升系統可靠性并降低系統成本。 應用背景 近年來,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢... (來源:新品頻道)
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵(GaN)開關——650 V CoolGaN™ G5雙向開關(BDS)。該產品采用共漏極設計和雙柵極結構,是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管(GIT)技術和... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolGaN G5雙向開關 2025-5-26 13:28
作者:Prasad Paruchuri,安森美技術營銷部 隨著技術的不斷進步,我們如今能夠研發出比以往更緊湊、功率更大、使用壽命更長且充電速度更快的電池。 在道路上,由電池驅動的車輛數量日益增多。在家庭中,從手持電動工具到割草機,各類設備都已實現無線化。在建筑領域,錘鉆、沖擊扳手、... (來源:技術文章頻道)
電池供電安森美 2025-5-23 11:55
常規開關(例如MOSFET或IGBT)通常具有正導電狀態和反向阻塞狀態。例如,使用MOSFET主體二極管或與IGBT添加抗平行二極管,可以使用第三象限傳導。這允許反向傳導流,但沒有任何門控制。這些設備通常可以通過在背對背(B2B)配置中使用這些設備中的兩個設備來實現可開關的雙向流。 由于有效的州電阻(... (來源:技術文章頻道)
MOSFET氮化鎵單片雙向開關 2025-4-17 09:13
在全球持續面臨氣候變化和環境可持續發展挑戰之際,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)一直站在創新前沿,利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數字化領域的發展。 CoolGaN 英飛凌在其 《2025年GaN功率半... (來源:新聞頻道)
英飛凌GaN 2025-2-26 15:05
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