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富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半?；诟皇客ò雽w的GaN功率器件，用... （來源：新品頻道）
富士通半導體耐壓150VGaN功率器件MB51T008A 2013-7-23 17:11
TPCA8045-H，其46、47、48、49、50和51 MOSFET提供了電壓為40-，60-，和80V的一系列器件，它們適用于移動通信應用中的隔離式DC/DC總線轉換器所用到的初級側開關。這些N溝道器件也可以用于非隔離DC/DC轉換器。 其中有三種40–V的器件，即TPCA8045-H、TPCA8046-H和TPCA8047-H，它們的漏極電流分別是46、... （來源：新品頻道）
ToshibaTPCA8045-HRDS（on）轉換器效率 2009-4-8 16:30
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