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Nexperia今天宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212（12 x 12毫米）銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可實現460A以上的安全電流。產品包含頂部和底部散熱封裝組合，非常適合對散熱要求嚴格的48V汽車應用，包括車載充電器(OBC)、牽引... （來源：新品頻道）
NexperiaMOSFET 2025-9-19 13:23
這種直插型電感器采用變線繞阻，鐵粉合金磁芯技術，可實現低直流電阻（DCR），從而減少功耗，并提高效率 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款全新IHDM汽車級直插型扁線電感器---IHDM-1107BBEV-2A和IHDM-1107BBEV-3A，這些器件采用1107封裝尺寸，軟... （來源：新品頻道）
Vishay電感器 2025-8-11 16:07
這些通過AEC-Q101認證的器件可為汽車應用節省占板空間并提供高穩定性 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2025年8月11日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用SMB（DO-214AA）封裝的全新系列單/雙向1500 W表面貼裝PAR®瞬態電壓... （來源：新品頻道）
VishayTVS 2025-8-11 13:14
TDK株式會社（東京證券交易所代碼：6762）隆重發布新的B3264xH系列雙面蒸鍍金屬化聚丙烯 (MMKP) 薄膜電容器。新系列元件專為應對高頻應用中高達6,500 V/µs的脈沖應力而設計，有效補充了傳統解決方案的局限。這些元件非常適合諧振電路應用，尤其是應用廣泛的LLC拓撲結構。憑借緊湊的外形... （來源：新品頻道）
TDK薄膜電容器 2025-8-7 09:25
Bourns 擴展符合 AEC-Q200 標準車規級電流檢測電阻產品線，提供更高額定功率與更廣泛的電阻范圍 Bourns® 寬端子 CRK 系列擴展產品在小巧的 1225 封裝中 可提供高達 3 W 的功率耗散，滿足當今大電流應用的需求 Bourns® CRK1225 系列提供更高額定功率與更廣泛電阻范... （來源：新品頻道）
Bourns 車規級 電流 檢測電阻 電流檢測 2025-7-23 10:04
CFP15B封裝為DPAK封裝的MJD系列提供更緊湊、更具成本效益的替代方案 Nexperia今日宣布擴展其雙極性晶體管(BJT)產品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列的新產品旨在滿足工業與汽車領域對更高功率效率、更具成本優勢設計方案的持續需求。與傳... （來源：新品頻道）
Nexperia銅夾片CFP晶體管 2025-7-21 10:22
器件通過AEC-Q200認證，能夠與多種液體永久接觸，而無需昂貴的線對線連接器 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出通過AEC-Q200認證的新款NTC浸入式熱敏電阻---NTCAIMM66H。Vishay BCcomponents NTCAIMM66H采用小型化設計，配有緊湊的傳感器端頭和... （來源：新品頻道）
Vishay NTC熱敏電阻NTCAIMM66H 2025-7-3 16:04
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電... （來源：新品頻道）
英飛凌 導通電阻 CoolSiC MOSFET 汽車 工業 2025-7-1 11:20
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出一系列面向車載應用的雙通道高速標準數字隔離器——“DCM32xx00系列”。該系列有四款器件，可通過100kV/μs（典型值）[1]的高共模瞬態抑制（CMTI）和50Mbps（最大值）[2]的高速數據傳輸速率，實現穩定運... （來源：新品頻道）
東芝隔離器DCM32xx00 2025-6-20 09:18
這些器件采用TO-263（D2PAK）封裝，具有高達15 J/0.1 s的高脈沖吸收能力和35 W的功率耗散能力 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其D2TO35系列表面貼裝厚膜功率電阻新增一款通過AEC-Q200認證的器件---D2TO35H，該器件具有更高的脈沖吸收能力，可達15 J/0.1 s。... （來源：新品頻道）
VishaySMD功率電阻D2TO35H 2025-5-14 15:11
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