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日前，集設計研發、生產和全球銷售一體的著名功率半導體及芯片供應商（AOS, 納斯達克代碼:AOSL) 宣布推出一款低導通電阻的30V MOSFET——AONS30300，它具有較高的安全工作區（SOA），非常適合熱插拔和eFuse等高要求應用。 寬范圍安全工作區(SOA)對于MOSFET在服務器熱插拔應用是必不可少的... （來源：新品頻道）
AOS 30V MOSFET AONS30300 2022-12-6 14:57
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。 新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳... （來源：新品頻道）
NexperiaMOSFETDSN1006DSN1010 2022-7-27 10:24
Vishay 宣布，發布其2014年“Super 12”明星產品。每年，Vishay都會挑出12款采用全新技術，能夠大幅提高終端產品和系統性能的重要半導體和無源元器件。Vishay的Super 12集中展示了公司在半導體和無源器件的卓越實力，并且讓人能從中了解Vishay的廣泛產品組合。 2014年的Super 12產品如下： Vishay ... （來源：新品頻道）
Vishay Super 12明星產品 2014-3-11 09:48
NXP推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術。NextPowerS3是業界首款能夠提供高頻率、低峰值性能的MOSFET，通常只有集成肖特基或類似肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能，而且這種MOSFET沒有令人煩惱的高漏電流問題。NextPowerS3 30V的產品適合于各種應... （來源：新品頻道）
NXP30VMOSFET平臺NextPowerS3SchottkyPlus 2013-9-25 09:37
Vishay推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅動下具有業內較低的導通電阻，是首款-40V P溝道Gen III器件；SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1... （來源：新品頻道）
VishayPowerPAK封裝MOSFETGen III P溝道產品 2013-7-15 09:39
可用于各種應用的創新元件具有業內領先的性能規格賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 4 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出2012年的“Super 12”特色產品。Vishay的Super 12集中展示了該公司在半導體和無源器件方面的卓越能力，為設計工程師提供了實現業界領... （來源：新品頻道）
VishaySuper 12明星產品 2012-4-10 10:26
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面找到了最佳平衡點，并且具有行業最低的RDS (on) （25V和30V均為亞1 mΩ級），是高性能、高可靠性開關應用的... （來源：新品頻道）
NXPNextPowerMOSFET 2011-5-27 15:53
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應用 (如筆記本電腦) 而設計。 IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數量達30%，大幅降低了整體系統成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低... （來源：新品頻道）
IRIRF6708S2IRF6728M 2010-12-14 14:59
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。全新的 OptiMOS－T2 30V MOSFET 是一款N溝道器件，在10ｖ柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態電阻僅為０．9毫歐。采用D2PAK－7封裝的IPB180N03S4L－H0，可滿足客戶對標準... （來源：新品頻道）
InfineonMOSFET 2010-8-6 09:17
全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布，公司榮獲國內著名電子設計刊物《電子產品世界》年度功率產品大獎中兩項最佳創新獎。 FAN9612交錯式臨界導通模式(BCM) 功率因數校正(PFC)控制器榮獲功率管理類別的最佳創新獎。而業界首個采用Power 56封裝、阻抗低于... （來源：新品頻道）
FairchildPFC控制器 2010-6-12 10:33
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